[发明专利]制造用于有机发光元件的光提取基底的方法、用于有机发光元件的光提取基底及包括其的有机发光元件有效
申请号: | 201580070258.1 | 申请日: | 2015-12-16 |
公开(公告)号: | CN107112441B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 崔殷豪;金序炫;李柱永 | 申请(专利权)人: | 康宁精密素材株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;韩明花 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 用于 有机 发光 元件 提取 基底 方法 包括 | ||
本发明涉及一种制造用于有机发光元件的光提取基底的方法、一种用于有机发光元件的光提取基底以及一种包括该光提取基底有机发光元件,具体地,涉及一种制造用于有机发光元件的光提取基底的方法、一种用于有机发光元件的光提取基底以及一种包括该光提取基底有机发光元件,所述方法能够改善有机发光元件的光提取效率,还能提高发光均匀性。为此,本发明提供一种制造用于有机发光元件的光提取基底的方法,所述方法包括:通过将大量的散射颗粒与无机粘合剂进行混合来制备混合物的混合物制备步骤;在基础基底上涂覆混合物的混合物涂覆步骤;通过在涂覆的混合物上涂覆无机材料来形成缓冲层的缓冲层形成步骤;对混合物和缓冲层进行烧制的烧制步骤;在烧制步骤中形成在混合物和缓冲层中的裂纹中形成由金属制成的第一电极的第一电极形成步骤;在第一电极上形成电连接到第一电极的第二电极的第二电极形成步骤。
技术领域
本公开涉及一种制造用于有机发光器件或有机发光二极管(OLED)器件的光提取基底的方法、一种用于OLED器件的光提取基底以及一种包括该光提取基底的OLED器件。更具体地,本公开涉及一种制造用于OLED器件的光提取基底的方法、一种用于OLED器件的光提取基底以及一种包括该光提取基底的OLED器件,其中,不但改善了OLED器件的光提取效率而且改善了OLED器件的发光均匀性。
背景技术
通常,发光器件可以划分为具有由有机材料形成的发光层的有机发光二极管(OLED)器件和具有由无机材料形成的发光层的无机发光器件。在OLED器件中,OLED是基于经电子注入电极(阴极)注入的电子和经空穴注入电极(阳极)注入的空穴的复合在有机发光层中产生的激子的辐射衰减的自发光光源。OLED具有一系列的优点,诸如低电压驱动、自发射、宽视角、高分辨率、自然色彩再现性和快速响应时间。
近来,已经对OLED应用于便携式信息装置、照相机、时钟、手表、办公设备、用于车辆等的信息显示装置、电视(TV)、显示装置和照明系统等积极地进行了研究。
为了改善这种上述OLED器件的发光效率,有必要改善形成发光层的材料的发光效率或者光提取效率(即,由发光层产生的光被提取的效率)。
OLED器件的光提取效率取决于OLED层的折射率。在典型的OLED器件中,当由发光层产生的光束以大于临界角的角度出射时,该光束会在诸如用作阳极的透明电极层的较高折射率的层与诸如玻璃基底的较低折射率的层之间的界面处被全反射。这会因此降低光提取效率,从而降低了OLED器件的整体发光效率,这是有问题的。
更详细地进行描述,由OLED产生的光中的仅约20%从OLED器件发射而产生的光中的约80%由于波导效应和内部全反射而损失,波导效应源自于玻璃基底、阳极和有机发光层(由空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层组成)的折射率不同,内部全反射源自于玻璃基底和环境大气之间的折射率的差异。这里,内部有机发光层的折射率在1.7到1.8的范围,而通常用于阳极的氧化铟锡(ITO)的折射率为约1.9。由于这两个层具有范围为200nm到400nm的显著低的厚度,并且用于玻璃基底的玻璃的折射率为约1.5,从而在OLED器件内部形成平面波导。计算出由于上述原因在内部波导模式中损失的光的比率为约45%。另外,由于玻璃基底的折射率为约1.5,环境大气的折射率为1.0,所以当光从玻璃基底的内部射出时,入射角大于临界角的光束会被全反射并俘获在玻璃基底内部。被俘获的光的比率为约35%。因此,仅可以从OLED器件射出所产生的光的约20%。
为了克服这样的问题,已经积极研究了光提取层,通过光提取层可以提取否则将在内部波导模式中损失的光的80%。光提取层通常被分类为内部光提取层和外部光提取层。在外部光提取层的情况下,能够通过在基底的外表面上设置包括微透镜的膜来改善光提取效率,从各种形状中选择微透镜的形状。光提取效率的改善不明显依赖于微透镜的形状。另一方面,内部光提取层直接提取否则将在光波导模式中损失的光。因此,内部光提取层改善光提取效率的能力可以高于外部光提取层改善光提取效率的能力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择