[发明专利]使用接枝聚合物材料图案化基底

权利要求书

1.一种在基底上形成图案的方法，所述方法包括：

提供具有位于目标层上的心轴的基底，所述心轴包含第一材料，所述目标层包含第二材料，所述第二材料与所述第一材料化学上不同；

使间隔物材料沉积在所述基底上，所述间隔物材料选择性地附着至所述心轴的露出表面而不附着至所述目标层的露出表面，致使间隔物至少形成在所述心轴的侧壁上，其中所述间隔物具有基本上均匀的厚度；

使填充材料沉积在所述基底上，所述填充材料填充由所述心轴的侧壁上的所述间隔物材料所限定的空间，所述填充材料通过所述限定的空间接触所述目标层，所述填充材料在所述间隔物的侧壁上形成与所述间隔物的垂直界面，所述填充材料包含第三材料；以及

移除所述间隔物，导致所述填充材料和所述心轴保留在所述基底上并且一起限定组合的图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中使所述间隔物材料沉积包括使所述间隔物材料作为液体沉积在所述基底上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中使所述间隔物材料沉积包括旋转所述基底使得所述间隔物材料覆盖所述基底。

4.根据权利要求1所述的方法，其中使所述间隔物材料沉积包括通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)使所述间隔物材料沉积。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使所述间隔物材料沉积包括选择聚合物大小和回转半径，导致预定厚度的间隔物材料附着至所述心轴。

6.根据权利要求5所述的方法，其中使所述间隔物材料沉积包括选择聚合物长度为1.0纳米至20纳米的间隔物材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中选择蚀刻抗性值小于第一材料和所述填充材料的蚀刻抗性值的所述间隔物材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中选择大西参数值大于所述心轴和所述填充材料两者的大西参数的所述间隔物材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述填充材料是含硅抗反射涂层或无定形碳。

10.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述间隔物包括以大于所述第一材料和所述填充材料的蚀刻速率两倍的蚀刻速率蚀刻所述间隔物材料使用蚀刻化学品执行蚀刻过程。

11.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述间隔物包括执行至少在所述间隔物的上表面上方从所述基底中移除材料的平坦化过程。

12.根据权利要求11所述的方法，其中执行所述平坦化过程包括执行将填充材料从所述填充材料的顶部表面溶解至至少所述间隔物材料的顶部表面的酸扩散过程。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述组合的图案转移至所述目标层。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括：使平坦化层沉积在所述组合的图案上、使光致抗蚀剂膜沉积在所述平坦化层上以及执行形成具有所述组合的图案的俯视图中的交叉图案的光刻图案化工艺。

15.根据权利要求1所述的方法，还包括：

用辐射敏感性材料的层覆盖所述组合的图案；以及

使辐射敏感性材料的层中的曝光图案显影，所述曝光图案已通过光刻产生，其中使所述曝光图案显影产生露出所述组合的图案的部分的第二掩模，所述第二掩模和所述组合的图案一起限定俯视图中的交叉图案。

16.根据权利要求1所述的方法，还包括在使间隔物材料沉积之前，用导致所述间隔物材料在与所述心轴的露出表面接触时附着至所述心轴的所述露出表面的处理对所述心轴的所述露出表面进行改性。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料的硬度值大于基于聚合物的光致抗蚀剂材料的硬度值。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料选自氧化物、氮化物、金属、氧化物覆盖的光致抗蚀剂、硬化光致抗蚀剂和硅。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料是图案化的光致抗蚀剂材料。

20.根据权利要求19所述的方法，其中提供具有心轴的所述基底包括使光致抗蚀剂的层光刻曝光并显影，接着弹道电子处理和硅溅射沉积，导致氧化物层形成在所述光致抗蚀剂的露出表面上。