[发明专利]含硫聚有机硅氧烷组合物及相关方面有效

专利信息
申请号: 201580070450.0 申请日: 2015-11-06
公开(公告)号: CN107109067B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 西田文人;S·斯威尔;魏彦虎 申请(专利权)人: 美国陶氏有机硅公司
主分类号: C08L83/08 分类号: C08L83/08;C08L83/10;C08L83/04;C08L83/07;C08L83/05;C08L83/00;C08K5/36
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 吴亦华
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 含硫聚 有机硅 组合 相关 方面
【权利要求书】:

1.一种降解受抑制的硅氢加成可固化组合物,包含以下组分:

(i)硅氢加成可固化聚有机硅氧烷预聚物,

(ii)来源于硅氢加成催化剂的金属,和

(iii)沸点大于150摄氏度(℃)的硫化合物;

其中所述硫化合物的硫原子的以摩尔计的原子含量是(ii)来源于硅氢加成催化剂的金属的以摩尔计的原子含量的5至10,000倍;并且

其中所述组合物具有如下所述的硅氢加成可固化聚有机硅氧烷预聚物作为组分(i-a)以及如下所述的硫化合物作为组分(iii-a)中的一种:式(I)的硫官能化有机硅氧烷、式(II)的二有机多硫化物或式(IV)的含巯基的烃:

(i-a)所述硅氢加成可固化聚有机硅氧烷预聚物是硅氢加成可固化树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物,包含:

40摩尔%至90摩尔%的式[R12SiO2/2]的D型单元,

10摩尔%至60摩尔%的式[R2SiO3/2]的T型单元;其中所述共聚物中所有单元的摩尔%的总和合计为100摩尔%,

0.5摩尔%至35摩尔%的硅醇基团[Si-OH];其中所述共聚物中硅醇基团的摩尔%以每分子的平均值给出,并且进一步地

其中每个R1和R2独立地为具有0个脂族不饱键的(C1-C30)烃基或包含至少1个脂族不饱和键的(C1-C30)烃基,其中所述硅氢加成可固化树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物包含0.5摩尔%至5摩尔%的包含至少一个脂族不饱和键的(C1-C30)烃基;

其中所述D型单元[R12SiO2/2]以线性嵌段排列,每个线性嵌段具有平均100至300个D型单元[R12SiO2/2],并且所述T型单元[R2SiO3/2]以分子量为至少500克/摩尔(g/mol)的非线性嵌段排列,其中至少30摩尔%的非线性嵌段彼此交联,并且其中每个线性嵌段通过包含D型或T型硅氧烷单元的二价连接基连接到至少一个非线性嵌段;并且

其中所述硅氢加成可固化树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000g/mol的重均分子量(Mw);并且

(iii-a)式(I)的硫官能化有机硅氧烷:(R3R4R5SiO1/2)a1(R3R4SiO2/2)b1(R3SiO3/2)c1(O3/2Si-R6-S-(S)m-R7-SiO3/2)d1(SiO4/2)e1(I),其中下标m为0、1、2或3;下标a1+b1+c1+d1+e1=1,a1为0至0.5,b1为0至1,c1为0至1,d1为0至1,并且e1为0至0.2;

其中R3、R4和R5各自独立地为(C1-C30)烃基、巯基官能化((HS)-官能化)(C1-C30)烃基或者含有硫化物基团、二硫化物基团、三硫化物基团或四硫化物基团的(C1-C30)杂烃基;并且

其中R6和R7各自独立地为键、(C1-C30)亚烃基或含有硫化物基团、二硫化物基团、三硫化物基团或四硫化物基团的(C1-C30)杂亚烃基;并且

前提条件是,d1为0或R3、R4和R5中的至少一者独立地为巯基官能化(C1-C30)烃基或者含有硫化物基团、二硫化物基团、三硫化物基团或四硫化物基团的(C1-C30)杂烃基;

式(II)的二有机多硫化物:Ra-S-(S)n-Rb(II),其中下标n为1、2或3,Ra和Rb各自独立地为未取代的(C2-C30)烃基或被1个或多个取代基RC取代的(C1-C30)烃基,其中每个RC独立地为卤素、-NH2、-NHR、-NR2、-NO2、-OH、-OR、氧基(=O)、-C≡N、-C(=O)-R、-OC(=O)R、-C(=O)OH、-C(=O)OR、-SH、-SR、-SSH、-SSR、-SC(=O)R、-SO2R、-OSO2R、-SiR3或-Si(OR)3;其中每个R独立地为未取代的(C1-C30)烃基;和

式(IV)的含巯基的烃:Rd-SH(IV),其中Rd为未取代的(C6-C30)烃基或被1个或多个取代基RC取代的取代(C5-C30)烃基,其中每个RC独立地为卤素、-NH2、-NHR、-NR2、-NO2、-OH、-OR、氧基(=O)、-C≡N、-C(=O)-R、-OC(=O)R、-C(=O)OH、-C(=O)OR、-SH、-SR、-SSH、-SSR、-SC(=O)R、-SO2R、-OSO2R、-SiR3或-Si(OR)3;其中每个R独立地为未取代的(C1-C30)烃基。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国陶氏有机硅公司,未经美国陶氏有机硅公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580070450.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top