[发明专利]换能装置和用于提供这种装置的方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

电荷载体，其中所述电荷载体包括连续的三维框架，所述三维框架包括遍及所述框架的多个腔；

遍及所述电荷载体被提供的传感器材料；

其中所述传感器材料被配置为对检测到的输入进行换能并且根据所述检测到的输入改变所述电荷载体的传导率。

2.根据任一项前述权利要求所述的装置，其中所述传感器材料包括量子点。

3.根据任一项前述权利要求所述的装置，其中所述电荷载体的所述三维框架从二维材料形成。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述二维材料形成所述腔的边界。

5.根据任一项前述权利要求所述的装置，其中所述传感器材料在所述腔内被提供。

6.根据任一项前述权利要求所述的装置，其中所述电荷载体包括石墨烯泡沫。

7.根据任一项前述权利要求所述的装置，其中所述电荷载体被配置为在任何方向上传导电荷。

8.根据任一项前述权利要求所述的装置，其中所述检测到的输入包括入射电磁辐射。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述电磁辐射包括X射线。

10.根据任一项前述权利要求所述的装置，其中所述检测到的输入包括温度变化。

11.根据任一项前述权利要求所述的装置，其中所述检测到的输入包括压力。

12.根据任一项前述权利要求所述的装置，其中所述检测到的输入包括形状变化。

13.根据任一项前述权利要求所述的装置，其中所述电荷载体在绝缘基板上被提供。

14.根据任一项前述权利要求所述的装置，其中所述电荷载体在两个电极之间被提供。

15.一种晶体管，包括根据任一项前述权利要求所述的装置。

16.根据权利要求15所述的晶体管，其中所述晶体管是薄膜晶体管。

17.一种方法，包括：

提供电荷载体，其中所述电荷载体包括连续的三维框架，所述三维框架包括遍及所述框架的多个腔；

提供遍及所述电荷载体的传感器材料；

其中所述传感器材料被配置为对检测到的输入进行换能并且根据所述检测到的输入改变所述电荷载体的传导率。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述传感器材料包括量子点。