[发明专利]电极、制造电极的方法及产生局部击穿的方法

权利要求书

1.一种制造电极的方法，该方法包括以下步骤：

使所述电极的表面包括至少一个几何特征，所述至少一个几何特征被设置成在使用期间生成至少一个三联结合部，所述几何特征包括：

第一表面部分，所述第一表面部分被设置成在使用中暴露于沉积物形成粒子；以及

隐蔽表面部分，所述隐蔽表面部分在使用中被避免暴露于沉积物形成粒子，所述隐蔽表面部分与所述第一表面部分相邻。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个几何特征是几何特征的阵列，每一个几何特征都包括被设置成在使用中暴露于沉积物形成粒子的所述第一表面部分以及在使用中被避免暴露于沉积物形成粒子的所述隐蔽表面部分，所述隐蔽表面部分与所述第一表面部分相邻。

3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在所述电极要被使用的环境中确定沉积物形成粒子的方向性；以及

设置所述第一表面部分以从所确定的方向接收沉积物形成粒子。

4.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

设置所述隐蔽表面部分，使得所述隐蔽表面部分通过所述第一表面部分避免来自所确定的方向的沉积物形成粒子。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一表面部分被设置成在使用中避免所述隐蔽表面部分暴露于沉积物形成粒子。

6.一种具有表面的电极，该电极包括：

至少一个几何特征，所述至少一个几何特征被设置成在使用期间生成至少一个三联结合部，所述几何特征包括：

第一表面部分，所述第一表面部分被设置成在使用中暴露于沉积物形成粒子；以及

隐蔽表面部分，所述隐蔽表面部分在使用中被避免暴露于沉积物形成粒子，所述隐蔽表面部分与所述第一表面部分相邻。

7.根据权利要求6所述的电极，其中，所述第一表面部分被设置成在使用中避免所述隐蔽表面部分暴露于沉积物形成粒子。

8.根据权利要求6所述的电极，其中，所述第一表面部分被设置成接收具有第一方向性的沉积物形成粒子。

9.根据权利要求8所述的电极，其中，所述隐蔽表面部分被设置成使得所述隐蔽表面部分避免暴露于具有所述第一方向性的沉积物形成粒子。

10.根据权利要求6所述的电极，其中，所述几何特征被设置为突出部，并且所述第一表面部分遮蔽所述隐蔽表面部分。

11.根据权利要求10所述的电极，其中，所述几何特征被设置成在使用中产生两个三联结合部，所述两个三联结合部中的第一三联结合部形成在由所述第一表面部分与所述隐蔽表面部分的相交形成的所述突出部的尖端下方，而所述两个三联结合部中的第二三联结合部形成在所述尖端下方的平面上。

12.根据权利要求11所述的电极，其中，所述几何特征被设置成使所述第一三联结合部定位于靠近所述第二三联结合部，以增强所述两个三联结合部的低电平放电活动。

13.根据权利要求10所述的电极，其中，所述至少一个几何特征是所述至少一个几何特征的阵列。

14.根据权利要求6所述的电极，其中，所述至少一个几何特征是至少一个电极鳍，所述至少一个电极鳍被设置成在使用中与绝缘粒子的方向正交地从所述电极伸出。

15.根据权利要求14所述的电极，其中，所述至少一个电极鳍是电极鳍的阵列。