[发明专利]电子设备及其制造方法

权利要求书

1.电子设备，其是包含量子点荧光体的电子设备，

上述电子设备具备保护片，

上述保护片包含包括基材(X)和在上述基材(X)上层叠的层(Y)的多层结构体(W)，

上述层(Y)包含含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D)，

上述反应产物(D)的平均粒径在5～50nm的范围内。

2.权利要求1所述的电子设备，其中，在包含量子点荧光体的层的一侧或两侧配置上述保护片。

3.权利要求1或2所述的电子设备，其中，上述磷化合物(B)是无机磷化合物(BI)。

4.权利要求1或2所述的电子设备，其中，上述含有铝的化合物(A)是含有铝的金属氧化物(Aa)。

5.权利要求1或2所述的电子设备，其中，上述反应产物(D)的平均粒径在20～40nm的范围内。

6.权利要求1或2所述的电子设备，其在40℃、90%RH的条件下的透湿度为1.0g/(m²・day)以下。

7.权利要求1或2所述的电子设备，其中，上述基材(X)包含热塑性树脂膜。

8.权利要求1或2所述的电子设备，其中，上述层(Y)包含含有选自羰基、羟基、羧基、酸酐基和羧基的盐中的至少1种的官能团的聚合物(F)。

9.权利要求1或2所述的电子设备，其中，上述多层结构体(W)进一步包含与上述层(Y)相邻而配置的层(Z)，上述层(Z)包含具有含磷原子的官能团的聚合物(BOa)。

10.权利要求9所述的电子设备，其中，上述层(Z)的聚合物(BOa)是聚(乙烯基膦酸)或聚(2-膦酰基氧基乙基甲基丙烯酸酯)。

11.权利要求1所述的包含量子点荧光体的电子设备的制造方法，其中，

电子设备具备保护片，

上述保护片包含包括基材(X)和在上述基材(X)上层叠的层(Y)的多层结构体(W)，

上述层(Y)包含含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D)，

上述制造方法包括：

将包含含有铝的化合物(A)、磷化合物(B)和溶剂的涂布液(S)在上述基材(X)上施涂，形成包含反应产物(D)前体的层(Y)前体的步骤(I)，和

将上述层(Y)前体在140℃以上的温度下热处理，由此形成上述层(Y)的步骤(II)，

上述步骤(I)中，将涂布液(S)施涂于上述基材(X)上之后，进一步具有将上述涂布液(S)中的溶剂除去的干燥步骤，上述干燥步骤中的干燥温度低于140℃，

上述步骤(I)中的层(Y)的前体层的溶剂含有率为0.4wt%以下，且反应产物(D)前体的平均粒径低于5nm。

12.权利要求11所述的制造方法，其中，上述磷化合物(B)是无机磷化合物(BI)。

13.权利要求11或12所述的制造方法，其中，上述含有铝的化合物(A)是含有铝的金属氧化物(Aa)。

14.权利要求11或12所述的制造方法，其中，上述层(Y)前体的红外线吸收光谱中，1080～1130cm^-1的范围中的吸光度的极大值A_R和850～950cm^-1的范围中的吸光度的极大值A_P之比A_R/A_P为2.0以下。