[发明专利]制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底及包括其的有机发光二极管

说明书

本发明涉及一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、一种用于有机发光二极管的光提取基底以及一种包括该光提取基底有机发光二极管，更具体地，涉及能够显著地提高有机发光二极管的光提取效率的一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、一种用于有机发光二极管的光提取基底以及一种包括该光提取基底有机发光二极管。为此，本发明中提供了一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法，所述方法包括：通过将包含第一金属氧化物的溶胶‑凝胶溶液与由第二金属氧化物组成的多个散射颗粒进行混合来制备混合物的混合物制备步骤，其中，第二金属氧化物的折射率不同于第一金属氧化物的折射率；在基础基底上涂覆混合物的混合物涂覆步骤；对已经涂覆的混合物进行烧制以在基础基底上形成基质层的混合物烧制步骤，基质层包括第一金属氧化物并且其中分散有散射颗粒；通过利用折射率与基质层的折射率不同的材料填充基质层的表面来形成填充层的填充层形成步骤，其中，填充层填充在对混合物进行烧制时形成在基质层上的裂纹，其中，由于散射颗粒与被传送到填充层的表面上的裂纹的形状，褶皱形成在填充层的表面上。

技术领域

本公开涉及一种制造用于有机发光二极管(OLED)的光提取基底的方法、一种用于OLED的光提取基底以及一种包括该光提取基底的OLED器件。更具体地，本公开涉及一种制造用于OLED的光提取基底的方法、一种用于OLED的光提取基底以及一种包括该光提取基底的OLED器件，其中，所述方法能够通过降低波导效应和降低表面等离子体激元效应来显著地改善OLED的光提取效率，波导效应被认为是造成OLED效率损失的最重要的原因。

背景技术

通常，发光器件可以划分为具有由有机材料形成的发光层的有机发光二极管(OLED)器件和具有由无机材料形成的发光层的无机发光器件。在OLED器件中，OLED是基于经电子注入电极(阴极)注入的电子和经空穴注入电极(阳极)注入的空穴的复合在有机发光层中产生的激子的辐射衰减的自发光光源。OLED具有一系列的优点，诸如低电压驱动、光的自发射、宽视角、高分辨率、自然色彩再现性和快速响应时间。

近来，已经对OLED应用于便携式信息装置、照相机、时钟、手表、办公设备、用于车辆等的信息显示装置、电视(TV)、显示装置和照明系统等积极地进行了研究。

为了改善这种上述OLED器件的发光效率，有必要改善形成发光层的材料的发光效率或者光提取效率(即，由发光层产生的光被提取的效率)。

OLED器件的光提取效率取决于OLED层的折射率。在典型的OLED器件中，当由发光层产生的光束以大于临界角的角度出射时，该光束会在诸如用作阳极的透明电极层的较高折射率的层与诸如玻璃基底的较低折射率的层之间的界面处被全反射。这会因此降低光提取效率，从而降低了OLED器件的整体发光效率，这是有问题的。

更详细地进行描述，由OLED产生的光中的仅约20％是从OLED器件发射的而产生的光中的约80％由于波导效应和全内反射而损失，波导效应源自于玻璃基底、阳极和有机发光层(由空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层组成)的不同折射率，全内反射源自于玻璃基底和环境大气之间的折射率的差异。这里，内部有机发光层的折射率在1.7到1.8的范围，而通常用在阳极中的氧化铟锡(ITO)的折射率为约1.9。由于这两个层具有范围为200nm到400nm的显著低的厚度，并且用于玻璃基底的玻璃的折射率为约1.5，从而在OLED器件内部形成平面波导。计算出由于上述原因在内部波导模式中损失的光的比率为约45％。另外，由于玻璃基底的折射率为约1.5以及环境大气的折射率为1.0，所以当光从玻璃基底的内部射出时，入射角大于临界角的光束会被全反射并被俘获在玻璃基底内部。被俘获的光的比率为约35％。因此，仅可以从OLED器件射出所产生的光的约20％。