[发明专利]有机发光二极管有效
申请号: | 201580071153.8 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN107112434B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 李柱永;权润瑛;金东显;金序炫 | 申请(专利权)人: | 康宁精密素材株式会社 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 | ||
本发明涉及一种有机发光二极管,更具体地,涉及一种能够通过从内部光提取层传递而形成的优化褶皱结构来显著地提高光提取效率的有机发光二极管,从而能够有优异的发光效率。为此,本发明中提供的是有机发光二极管,该有机发光二极管包括:第一基底;内部光提取层,形成在第一基底上;第一电极,形成在内部光提取层上;有机发光层,形成在第一电极上;第二电极,形成在有机发光层上,其中,褶皱形成在内部光提取层的表面上,其中,褶皱顺序地传递到第一电极、有机发光层和第二电极上,其中,第二电极的表面包括褶皱结构,其中,褶皱结构包括多个凸部和形成在相邻的凸部之间的多个凹部,其中,关于相邻的凸部之间的间距与凹部的深度的深度/宽度比为0.1至7。
技术领域
本公开涉及一种有机发光二极管(OLED)器件。更具体地,本公开涉及一种OLED器件,在该OLED器件中,优化了从内部光提取层传递的褶皱结构,以显著地提高光提取效率,从而实现优异的发光效率。
背景技术
通常,发光器件可以划分为具有由有机材料形成的发光层的有机发光二极管(OLED)器件和具有由无机材料形成的发光层的无机发光器件。在OLED器件中,OLED是基于经电子注入电极(阴极)注入的电子和经空穴注入电极(阳极)注入的空穴的复合在有机发光层中产生的激子的辐射衰减的自发光光源。OLED具有一系列的优点,诸如低电压驱动、光的自发射、宽视角、高分辨率、自然色彩再现性和快速响应时间。
近来,已经对OLED应用于便携式信息装置、照相机、时钟、手表、办公设备、用于车辆等的信息显示装置、电视(TV)、显示装置和照明系统等积极地进行了研究。
为了改善这种上述OLED器件的发光效率,有必要改善形成发光层的材料的发光效率或者光提取效率(即,由发光层产生的光被提取的效率)。
OLED器件的光提取效率取决于OLED层的折射率。在典型的OLED器件中,当由发光层产生的光束以大于临界角的角度出射时,该光束会在诸如用作阳极的透明电极层的较高折射率层与诸如玻璃基底的较低折射率层之间的界面处被全反射。这会因此降低光提取效率,从而降低了OLED器件的整体发光效率,这是有问题的。
更详细地进行描述,由OLED产生的光中的仅约20%是从OLED器件发射的而产生的光中的约80%由于波导效应和全内反射而损失,波导效应源自于玻璃基底、阳极和有机发光层(由空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层组成)的不同折射率,全内反射源自于玻璃基底和环境大气之间的折射率的差异。这里,内部有机发光层的折射率在1.7到1.8的范围,而通常用在阳极中的氧化铟锡(ITO)的折射率为约1.9。由于这两个层具有范围为200nm到400nm的显著低的厚度,并且用于玻璃基底的玻璃的折射率为约1.5,从而在OLED器件内部形成平面波导。计算出由于上述原因在内部波导模式中损失的光的比率为约45%。另外,由于玻璃基底的折射率为约1.5以及环境大气的折射率为1.0,所以当光从玻璃基底的内部射出时,入射角大于临界角的光束会被全反射并被俘获在玻璃基底内部。被俘获的光的比率为约35%。因此,仅可以从OLED器件射出所产生的光的约20%。
为了克服这样的问题,已经积极研究了光提取层,通过光提取层可以提取否则将在内部波导模式中损失的光的80%。光提取层通常被分类为内部光提取层和外部光提取层。在外部光提取层的情况下,能够通过在基底的外表面上设置包括微透镜的膜来改善光提取效率,微透镜的形状是从各种形状选择的。光提取效率的改善不明显依赖于微透镜的形状。另一方面,内部光提取层直接提取否则将在光波导模式中损失的光。因此,内部光提取层改善光提取效率的能力可以高于外部光提取层改善光提取效率的能力。
然而,使用内部光提取层改善光提取效率的效果相对于向外出射的光的量仍不明显。因此,需要积极地研究进一步改善光提取效率的方法或技术。
[相关领域文件]
韩国专利号:第1093259号(2011年12月6日)
发明内容
技术问题
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择