[发明专利]高温超导体

权利要求书

1.式(I)化合物：L_nD_m(B_xB'_1-x)_r(Z_tZ'_1-t)_qM_pA_y(I)，其中，

n为0到3的数；

m为0到6的数；

x为0.1到1的数；

r为1到8的数；

t为0到1的数；

q为0到6的数；

p为1到7的数；

y为1到20的数；

L包括至少一种选自由过渡金属离子和后过渡金属离子组成的组中的金属离子；

D包括至少一种选自由周期表中III A和IV A族元素组成的组中的元素；

B包括至少一种第一碱金属离子；

B'包括至少一种选自由碱土金属离子和稀土金属离子组成的组中的第一离子；

Z包括至少一种第二碱金属离子；

Z'包括至少一种选自由碱土金属离子和稀土金属离子所组成的组中的第二离子；

M包括至少一种过渡金属离子；且

A包括至少一种阴离子，

其中，所述化合物为晶体化合物。

2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，L包括Bi、Tl、Cu或Hg。

3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，D包括C、Si、Ge、Sn、Pb或Al。

4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，B包括Li、Na、K、Rb或Cs。

5.根据权利要求4所述的化合物，其特征在于，B包括K、Rb或Cs。

6.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，B'包括La、Mg、Ca、Sr或Ba。

7.根据权利要求5所述的化合物，其特征在于，B'包括La、Ca、Sr或Ba。

8.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，Z包括Li、Na、K、Rb或Cs。

9.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，Z'包括Ca或Y。

10.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，M包括Cu或Fe。

11.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，A包括O、S、Se、P或As。

12.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物为式(II)化合物：L_nD_m(B_xB'_1-x)_r(Z_tZ'_1-t)_qCu_pO_y(II)。

13.根据权利要求12所述的化合物，其特征在于，p为1到3的数。

14.根据权利要求12所述的化合物，其特征在于，所述化合物为式(III)化合物：L_nD_m(B_xB'_1-x)_r(Z_tZ'_1-t)_qCu₂O_y(III)。

15.根据权利要求14所述的化合物，其特征在于，q为1到2的数，且r为2到4的数。

16.根据权利要求15所述的化合物，其特征在于，L包括Bi、Tl、Cu、Pb或Hg，且n为0、1、2或3。

17.根据权利要求16所述的化合物，其特征在于，D包括碳，且m为0到4的数。

18.根据权利要求17所述的化合物，其特征在于，B包括K、Rb或Cs。

19.根据权利要求18所述的化合物，其特征在于，B'包括Sr。

20.根据权利要求19所述的化合物，其特征在于，t为0，且Z'包括Ca。