[发明专利]掺杂半导体的方法

权利要求书

1.直接掺杂硅基底的方法，其特征在于

a)将适合作为用于形成氧化物层的溶胶-凝胶并包含至少一种选自硼、镓、硅、锗、锌、锡、磷、钛、锆、钇、镍、钴、铁、铈、铌、砷和铅的掺杂元素的掺杂糊剂在整个表面上或选择性地印刷到基底表面上，和将其干燥，

b)任选地用相同或不同组成的掺杂糊剂重复这一步骤，

c)任选地通过在750至1100℃的温度下的温度处理实施通过扩散的掺杂，

d)通过激光照射实施基底的掺杂，和

e)任选地通过管式炉步骤或在线扩散步骤在升高的温度下进行对在所述基底中由激光照射引起的损伤的修复，和

f)在掺杂完成后，再除去由所施加的糊剂形成的玻璃层，

其中步骤b)至e)可取决于所希望的掺杂结果以不同顺序实施并可任选地重复实施。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于在激光照射进行基底掺杂后进行在750至1100℃的温度下的温度处理以进行通过扩散的掺杂，其中同时进行对在基底中的由激光照射引起的损伤的修复。

3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于将适合用于形成氧化物层并包含至少一种选自硼、磷、锑、砷和镓的掺杂元素的掺杂糊剂印刷上。

4.根据权利要求1、2和3的一项或多项的方法，其特征在于通过选自丝网印刷、柔性版印刷、凹版印刷、平版印刷、微接触印刷、电流体动力学分配、辊涂、喷涂、超声喷涂、管喷射、激光转印、移印、平板床丝网印刷和旋转丝网印刷的印刷法印刷上所述掺杂糊剂。

5.根据权利要求1、2和3的一项或多项的方法，其特征在于通过丝网印刷印刷上所述掺杂糊剂。

6.根据权利要求1至5的一项或多项的方法，其特征在于在硼扩散后在排除“硼表皮”的氧化过程的情况下直接由所述经印刷和干燥的玻璃进行掺杂。

7.根据权利要求1至6的一项或多项的方法，其特征在于通过至少一次两阶段掺杂和基底的仅一次热扩散或高温处理制造具有不同掺杂的区域的结构化高效太阳能电池。

8.根据权利要求1至7的一项或多项的方法，其特征在于在步骤a)中，通过气相沉积，借助于PECVD(等离子体增强的化学气相沉积)、APCVD(大气压化学气相沉积)、ALD(原子层沉积)或阴极溅射(溅射)，在整个表面上或选择性地在基底表面上生成包含至少一种选自硼、镓、硅、锗、锌、锡、磷、钛、锆、钇、镍、钴、铁、铈、铌、砷和铅的掺杂元素的玻璃层。

9.根据权利要求1至8的一项或多项的方法，其特征在于在掺杂完成后借助氢氟酸除去所述玻璃层。

10.通过根据权利要求1-9的一项或多项的方法制成的太阳能电池。

11.通过根据权利要求1-9的一项或多项的方法制成的光伏元件。