[发明专利]电子诱导解离装置及方法有效
申请号: | 201580071632.X | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN107112196B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 马场崇 | 申请(专利权)人: | DH科技发展私人贸易有限公司 |
主分类号: | H01J49/40 | 分类号: | H01J49/40 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 关旭颖 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 诱导 解离 装置 方法 | ||
1.一种离子反应设备,其包括:
第一多个电极,其经布置以界定其间的第一通路,所述第一通路包括经配置以从离子源持续接收正电离子的第一轴端及安置在距至少部分沿着第一中心轴延伸的所述第一通路的所述第一轴端一距离处的第二轴端;
第二多个电极,其经布置以界定沿着第二中心轴延伸的第二通路,所述第二通路与所述第一通路在第一相交点相交,所述第二中心轴基本上正交于所述第一中心轴;
第三多个电极,其经布置以界定其间的第三通路,所述第三通路包括第一轴端及安置在距所述第三通路的所述第一轴端一距离处的第二轴端以将正电离子及所述正电离子的反应产物中的至少一者发射出所述离子反应设备,所述第三通路至少部分沿着基本上正交于所述第二中心轴的第三中心轴延伸且在与所述第一相交点间隔开一距离的第二相交点处与所述第二通路相交,其中所述第一、第二及第三多个电极经配置以耦合到RF电压源,所述RF电压源将RF电压提供到所述第一、第二及第三多个电极的电极中的每一者;
电子源,其用于沿着延伸于所述第一与第二相交点之间的所述第二中心轴将电子持续引入到所述第二通路中;以及
磁场源,其经配置以产生平行于所述第二中心轴且沿着所述第二中心轴的磁场。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述正电离子与所述电子基本上沿着所述第二通路相互作用。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述相互作用长度是至少10mm。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一中心轴与所述第三中心轴平行。
5.根据权利要求4所述的设备,其中所述第一通路的所述第一轴端与所述第三通路的所述第二轴端共线。
6.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一中心轴与所述第二中心轴延伸穿过所述第一相交点,
且其中所述第二中心轴与所述第三中心轴延伸穿过所述第二相交点。
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述第二通路延伸于第一轴端与安置在距所述第二通路的所述第一轴端一距离处的第二轴端之间,所述电子源安置在所述第二通路的所述第一或第二轴端中的一者处或接近所述第二通路的所述第一或第二轴端中的一者。
8.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一多个电极包括一组四极电极,其在四极取向上围绕所述第一中心轴布置,所述第一多个电极用于沿着所述第一通路引导离子,
其中所述第二多个电极包括一组四极电极,其在四极取向上围绕所述第二中心轴布置,所述第二多个电极用于沿着所述第二通路引导离子,且
其中所述第三多个电极包括一组四极电极,其在四极取向上围绕所述第三中心轴布置,所述第三多个电极用于沿着所述第三通路引导离子。
9.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:
电压源,其用于将RF电压提供到所述第一、第二及第三多个电极以产生RF场;以及
控制器,其用于控制所述RF电压。
10.根据权利要求9所述的设备,其进一步包括离子源,其安置在所述第一通路的所述第一轴端处或接近所述第一通路的所述第一轴端以用于沿着所述第一中心轴引入所述离子。
11.根据权利要求9所述的设备,其进一步包括第四多个电极,其围绕所述第一中心轴布置且安置在所述第二中心轴的与所述第一多个电极相对的侧上。
12.根据权利要求11所述的设备,其中所述第一多个电极中的至少一者还包括所述第二多个电极中的一者,且其中所述第四多个电极中的至少一者还包括所述第二多个电极中的一者。
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