[发明专利]制造含氧硅氢化物有机溶剂的方法在审

专利信息
申请号: 201580072282.9 申请日: 2015-10-13
公开(公告)号: CN107428543A 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 后藤裕一;远藤雅久;孙军;永井健太郎 申请(专利权)人: 薄膜电子有限公司
主分类号: C01B33/145 分类号: C01B33/145;C01B33/12;C08G77/60
代理公司: 四川力久律师事务所51221 代理人: 韩洋
地址: 挪威奥*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 含氧硅 氢化物 有机溶剂 方法
【权利要求书】:

1.一种制造含氧硅氢化物有机溶剂的方法,包括:

在含有硅氢化物或其聚合物的有机溶剂上吹入含氧气体。

2.根据权利要求1所述的制造含氧硅氢化物有机溶剂的方法,其中所述硅氢化物是环状硅烷。

3.根据权利要求1所述的制造含氧硅氢化物有机溶剂的方法,其中所述硅氢化物是环戊硅烷。

4.根据权利要求1所述的制造含氧硅氢化物有机溶剂的方法,其中含氧硅氢化物有机溶剂含有比例为(剩余的Si-H基)/(氧化之前的Si-H基)=1-40mol%的硅氢化物或其聚合物的氧化物。

5.根据权利要求1所述的制造含氧硅氢化物有机溶剂的方法,其中

使用通过具有工艺(A)和工艺(B)的方法得到的硅氢化物、环状硅烷,

工艺(A)是得到含有由式(2)表示的环状硅烷的溶液的工艺:

[化学式2]

(SiR3R4)n式(2)

(其中在式(2)中,R3和R4分别表示卤素原子,n是4-6的整数)通过使由式(1)表示的环状硅烷:

[化学式1]

(SiR1R2)n式(1)

(其中在式(1)中,R1和R2分别表示独立的氢原子、C1-C6烷基或任选被取代的苯基(R1和R2不是同时为氢原子),n是4-6的整数)在卤化铝存在的情况下与卤化氢在环己烷中反应,以及

工艺(B)是得到含有由式(3)表示的环状硅烷的工艺:

[化学式3]

(SiH2)n式(3)

(其中在式(3)中,n是4-6的整数)将由式(2)表示的环状硅烷溶解在有机溶剂中并用氢或氢化锂铝还原环状硅烷。

6.根据权利要求5所述的制造含氧硅氢化物有机溶剂的方法,其中在得到含有由式(2)表示的环状硅烷的溶液之后,工艺(A)包括通过再蒸馏所述溶液得到由式(2)表示的环状硅烷的工艺。

7.根据权利要求1所述的制造含氧硅氢化物有机溶剂的方法,其中所使用的硅氢化物的聚合物通过在惰性气体中把硅氢化物和金属铑接触而产生。

8.根据权利要求1-7任一项所述的制造含氧硅氢化物有机溶剂的方法,其中所述含氧气体是空气。

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