[发明专利]波长转换发光装置

权利要求书

1.一种方法，包含对于由发光二极管产生且由包含基质材料和掺杂剂的磷光体转换的预定量的光线，以及对于在增加的激发强度时具有某个掺杂剂浓度的该磷光体的效率的预定最大降低，选择该磷光体的最大掺杂剂浓度，其中该磷光体包含粉末磷光体，该粉末磷光体包含磷光体颗粒，该磷光体颗粒具有跨该磷光体颗粒而变化的掺杂剂浓度；以及其中该磷光体颗粒中的每个包含：

具有第一掺杂剂浓度的第一区域；和

具有第二掺杂剂浓度的第二区域；其中

该第二掺杂剂浓度小于该第一掺杂剂浓度；以及

该磷光体布置成使得由该发光二极管发射的光在该第一区域之前到达该第二区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该掺杂剂浓度是梯度变化的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中该掺杂剂为Eu²⁺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该掺杂剂为Ce³⁺。

5.一种结构，包含：

发射具有第一峰值波长的光的发光二极管；和

放置于由该发光二极管发射的光的路径中的磷光体，该磷光体用于吸收由该发光二极管发射的光并且发射具有第二峰值波长的光；其中：

该磷光体包含基质材料和掺杂剂；以及

该掺杂剂的浓度和该掺杂剂的布置被选择，使得在来自该发光二极管的预定的光发射下，具有该掺杂剂的该浓度的该磷光体的效率的预定最大降低不被超过，

其中该磷光体包含粉末磷光体，该粉末磷光体包含磷光体颗粒，该磷光体颗粒具有跨该磷光体颗粒而变化的掺杂剂浓度；以及其中该磷光体颗粒中的每个包含：

具有第一掺杂剂浓度的第一区域；和

具有第二掺杂剂浓度的第二区域；其中

该第二掺杂剂浓度小于该第一掺杂剂浓度；以及

该磷光体布置成使得由该发光二极管发射的光在该第一区域之前到达该第二区域。

6.根据权利要求5所述的结构，其中该掺杂剂为Eu²⁺。

7.根据权利要求5所述的结构，其中掺杂剂为Ce³⁺。

8.一种结构，包含：

发射具有第一峰值波长的光的发光二极管；

放置于由该发光二极管发射的光的路径中的磷光体，该磷光体用于吸收由该发光二极管发射的光并且发射具有第二峰值波长的光；以及

放置于该发光二极管和该磷光体之间的非波长转换材料，其中该非波长转换材料被选择以减少从该发光二极管到达该磷光体的光的量，使得具有某个掺杂剂浓度的该磷光体的效率的预定最大降低不被超过，

其中该磷光体包含粉末磷光体，该粉末磷光体包含磷光体颗粒，该磷光体颗粒具有跨该磷光体颗粒而变化的掺杂剂浓度；以及其中该磷光体颗粒中的每个包含：

具有第一掺杂剂浓度的第一区域；和

具有第二掺杂剂浓度的第二区域；其中

该第二掺杂剂浓度小于该第一掺杂剂浓度；以及

该磷光体布置成使得由该发光二极管发射的光在该第一区域之前到达该第二区域。

9.根据权利要求8所述的结构，其中通过反射或者吸收来自该发光二极管的光的一部分，该非波长转换材料减少从该发光二极管到达该磷光体的光的量。