[发明专利]包含激子缓冲层的钙钛矿发光器件以及制造其的方法

权利要求书

1.一种发光器件，所述发光器件包括：

第一电极；

激子缓冲层，设置在第一电极上并包括导电材料和具有比导电材料低的表面能的氟基材料；

发光层，设置在激子缓冲层上并包括有机/无机杂化钙钛矿材料；以及

第二电极，设置在发光层上，

其中，激子缓冲层被构造为使得导电层和表面缓冲层顺序地沉积，导电层包括所述导电材料，表面缓冲层包括具有比导电层低的表面能的所述氟基材料，

其中，表面缓冲层具有3nm或更大的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，激子缓冲层具有10^-7S/cm至1,000S/cm的导电率。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，氟基材料具有30mN/m或更小的表面能。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，位于表面缓冲层的与更靠近导电层的第一表面相对第二表面中的氟基材料的浓度低于表面缓冲层的第一表面中的氟基材料的浓度。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，针对导电层的第二表面确定的逸出功大于或等于5.0eV。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，氟基材料是包括至少一个F元素的离聚物。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，离聚物是氟化离聚物。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，氟基材料包括从由具有由下面的式1至式12表示的结构的离聚物组成的组中选择的至少一种离聚物：

式1

其中，m是从1至10,000,000的范围内的数字，x和y均独立地为从0至10的范围内的数字，M⁺代表Na⁺、K⁺、Li⁺、H⁺、CH₃(CH₂)_nNH₃⁺(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH₄⁺、NH₂⁺、NHSO₂CF₃⁺、CHO⁺、C₂H₅OH⁺、CH₃OH⁺或RCHO⁺(其中，R代表CH₃(CH₂)_n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；

式2

其中，m是从1至10,000,000的范围内的数字；

式3

其中，m和n为0m≤10,000,000且0≤n10,000,000，x和y均独立地为从0至20的范围内的数字，M⁺代表Na⁺、K⁺、Li⁺、H⁺、CH₃(CH₂)_nNH₃⁺(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH₄⁺、NH₂⁺、NHSO₂CF₃⁺、CHO⁺、C₂H₅OH⁺、CH₃OH⁺或RCHO⁺(其中，R代表CH₃(CH₂)_n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；

式4

其中，m和n为0m≤10,000,000且0≤n10,000,000，x和y均独立地为从0至20的范围内的数字，M⁺代表Na⁺、K⁺、Li⁺、H⁺、CH₃(CH₂)_nNH₃⁺(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH₄⁺、NH₂⁺、NHSO₂CF₃⁺、CHO⁺、C₂H₅OH⁺、CH₃OH⁺或RCHO⁺(其中，R代表CH₃(CH₂)_n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；

式5

其中，m和n为0m≤10,000,000且0≤n10,000,000，z为从0至20的范围内的数字，M⁺代表Na⁺、K⁺、Li⁺、H⁺、CH₃(CH₂)_nNH₃⁺(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH₄⁺、NH₂⁺、NHSO₂CF₃⁺、CHO⁺、C₂H₅OH⁺、CH₃OH⁺或RCHO⁺(其中，R代表CH₃(CH₂)_n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；

式6

其中，m和n为0m≤10,000,000且0≤n10,000,000，x和y均独立地为从0至20的范围内的数字，Y代表从-COO^-M⁺、-SO₃^-NHSO₂CF₃⁺和-PO₃^2-(M⁺)₂中选择的一种，M⁺代表Na⁺、K⁺、Li⁺、H⁺、CH₃(CH₂)_nNH₃⁺(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH₄⁺、NH₂⁺、NHSO₂CF₃⁺、CHO⁺、C₂H₅OH⁺、CH₃OH⁺和RCHO⁺(R代表CH₃(CH₂)_n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；

式7

其中，m和n为0m≤10,000,000且0≤n10,000,000，M⁺代表Na⁺、K⁺、Li⁺、H⁺、CH₃(CH₂)_nNH₃⁺(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH₄⁺、NH₂⁺、NHSO₂CF₃⁺、CHO⁺、C₂H₅OH⁺、CH₃OH⁺或RCHO⁺(其中，R代表CH₃(CH₂)_n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；

式8

其中，m和n为0m≤10,000,000且0≤n10,000,000；

式9

其中，m和n为0m≤10,000,000且0≤n10,000,000，x为从0至20的范围内的数字，M⁺代表Na⁺、K⁺、Li⁺、H⁺、CH₃(CH₂)_nNH₃⁺(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH₄⁺、NH₂⁺、NHSO₂CF₃⁺、CHO⁺、C₂H₅OH⁺、CH₃OH⁺或RCHO⁺(其中，R代表CH₃(CH₂)_n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；

式10

其中，m和n为0m≤10,000,000且0≤n10,000,000，x和y均独立地为从0至20的范围内的数字，M⁺代表Na⁺、K⁺、Li⁺、H⁺、CH₃(CH₂)_nNH₃⁺(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH₄⁺、NH₂⁺、NHSO₂CF₃⁺、CHO⁺、C₂H₅OH⁺、CH₃OH⁺或RCHO⁺(其中，R代表CH₃(CH₂)_n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；

式11

其中，m和n为0≤m10,000,000且0n≤10,000,000，R_f＝-(CF₂)_z-(其中，z为从1至50的范围内的整数，前提条件是不包括2)、-(CF₂CF₂O)_zCF₂CF₂-(其中，z为从1至50的范围内的整数)、-(CF₂CF₂CF₂O)_zCF₂CF₂-(其中，z从1至50的范围内的整数)，M⁺代表Na⁺、K⁺、Li⁺、H⁺、CH₃(CH₂)_nNH₃⁺(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH₄⁺、NH₂⁺、NHSO₂CF₃⁺、CHO⁺、C₂H₅OH⁺、CH₃OH⁺或RCHO⁺(其中，R代表CH₃(CH₂)_n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；以及

式12

其中，m和n为0≤m10,000,000且0n≤10,000,000，x和y均独立地为从0至20的范围内的数字，Y代表从-SO₃^-M⁺、-COO^-M⁺、-SO₃^-NHSO₂CF₃⁺和-PO₃^2-(M⁺)₂中选择的一种，M⁺代表Na⁺、K⁺、Li⁺、H⁺、CH₃(CH₂)_nNH₃⁺(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH₄⁺、NH₂⁺、NHSO₂CF₃⁺、CHO⁺、C₂H₅OH⁺、CH₃OH⁺或RCHO⁺(其中，R代表CH₃(CH₂)_n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)。