[发明专利]驱动有源矩阵EWOD设备元件的方法、电路和有源矩阵EWOD设备

权利要求书

1.一种驱动有源矩阵介质上电润湿AM-EWOD设备的元件的方法，所述AM-EWOD设备的元件具有元件电极和参考电极，所述方法包括：

向所述参考电极施加第一交变电压；以及

根据所述元件的阵列元件电路的存储器元件中所存储的用于所述元件的数据值来对所述元件电极进行寻址，

其中对所述元件电极进行寻址包括：(i)当所述数据值是数据“1”时，向所述元件电极施加与所述第一交变电压具有相同频率且与所述第一交变电压异相的第二交变电压，使得所述元件电极与所述参考电极之间的电压差等于或大于操纵存在于所述元件中的液滴所需的阈值电压，从而将所述元件置于致动状态，其中所述异相表示所述第二交变电压与所述第一交变电压之间的相位差在90度和270度之间；以及(ii)当所述数据值是数据“0”时，将所述元件电极保持在高阻抗状态，使得所述元件电极与所述参考电极之间的电压差小于所述阈值电压，从而将所述元件置于非致动状态，

其中，在所述致动状态下，所述元件被配置为致动存在于其中的液滴，并且在所述非致动状态下，所述元件被配置为不致动存在于其中的液滴。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一交变电压和所述第二交变电压具有彼此相同的波形形状。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一交变电压和所述第二交变电压均具有正弦波形、三角波形或方波形。

4.如权利要求1、2或3所述的方法，包括：将所述第一交变电压和所述第二交变电压施加为彼此反相。

5.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述第一交变电压和所述第二交变电压具有彼此相同的峰值幅度。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述第一交变电压和所述第二交变电压具有彼此相同的峰值幅度。

7.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述第一交变电压和所述第二交变电压中的至少一个包括DC偏移分量。

8.如权利要求4所述的方法，其中所述第一交变电压和所述第二交变电压中的至少一个包括DC偏移分量。

9.如权利要求5所述的方法，其中所述第一交变电压和所述第二交变电压中的至少一个包括DC偏移分量。

10.如权利要求1、2或3所述的方法，其中将所述第二交变电压施加到所述元件电极包括将所述元件电极连接到所述第二交变电压的源，并且其中将所述元件电极保持在高阻抗状态包括将所述元件电极与所述第二交变电压的源隔离。

11.如权利要求4所述的方法，其中将所述第二交变电压施加到所述元件电极包括将所述元件电极连接到所述第二交变电压的源，并且其中将所述元件电极保持在高阻抗状态包括将所述元件电极与所述第二交变电压的源隔离。

12.如权利要求5所述的方法，其中将所述第二交变电压施加到所述元件电极包括将所述元件电极连接到所述第二交变电压的源，并且其中将所述元件电极保持在高阻抗状态包括将所述元件电极与所述第二交变电压的源隔离。

13.如权利要求7所述的方法，其中将所述第二交变电压施加到所述元件电极包括将所述元件电极连接到所述第二交变电压的源，并且其中将所述元件电极保持在高阻抗状态包括将所述元件电极与所述第二交变电压的源隔离。

14.如权利要求1、2或3所述的方法，包括：将所述第二交变电压的瞬时值布置为等于将所述元件电极置于高阻抗状态时的所述第一交变电压的瞬时值。

15.如权利要求4所述的方法，包括：将所述第二交变电压的瞬时值布置为等于将所述元件电极置于高阻抗状态时的所述第一交变电压的瞬时值。