[发明专利]用于处理图案特征的多重曝光处理

权利要求书

1.一种用于处理基板的方法，包括：

在所述基板上提供图案特征，所述图案特征具有侧壁；

在第一曝光期间将第一离子物质植入到所述图案特征内，所述第一离子物质具有第一植入深度；以及

在植入所述第一离子物质之后，在第二曝光期间将第二离子物质植入到所述图案特征内，所述第二离子物质具有小于所述第一植入深度的第二植入深度，

其中所述图案特征为经图案化的抗反射涂层特征，所述用于处理基板的方法还包括当将抗反射涂层安置于经图案化的光刻胶特征下时，蚀刻所述经图案化的光刻胶特征，以便形成所述经图案化的抗反射涂层特征。

2.根据权利要求1所述的用于处理基板的方法，其中所述图案特征为第一图案特征，且其中所述侧壁具有第一侧壁轮廓，所述第一侧壁轮廓比第二侧壁轮廓凹进得少，所述第二侧壁轮廓形成于使用所述第二曝光植入所述第二离子物质的第二图案特征上，其中不将使用所述第一曝光的所述第一离子物质植入所述第二侧壁轮廓。

3.根据权利要求1所述的用于处理基板的方法，其中所述第二离子物质包括大于3道尔顿的质量。

4.根据权利要求1所述的用于处理基板的方法，其中所述第二离子物质经配置以在所述图案特征的外部部分中产生具有大于所述图案特征的内部部分中的第二密度的第一密度的密集层。

5.根据权利要求1所述的用于处理基板的方法，其中所述第一离子物质包括氢离子、氦离子、碳离子、硼离子或氮离子。

6.根据权利要求1所述的用于处理基板的方法，其中所述第一离子物质和所述第二离子物质包括同一离子物质，其中所述第一曝光包括第一离子能量，且所述第二曝光包括小于所述第一离子能量的第二离子能量。

7.一种用于处理具有侧壁的图案特征的方法，包括：

在第一曝光中提供第一物质，所述第一物质经配置以穿透所述图案特征到第一深度，且经进一步配置以软化所述图案特征；以及

在提供所述第一物质之后，在第二曝光期间将第二物质植入到所述图案特征内，所述第二物质包括具有小于所述第一深度的浅植入深度的离子，其中所述第二物质经配置以在所述图案特征的外部部分中产生具有大于所述图案特征的内部部分中的第二密度的第一密度的密集层，

其中所述图案特征为经图案化的抗反射涂层特征，所述用于处理基板的方法还包括当将抗反射涂层安置于经图案化的光刻胶特征下时，蚀刻所述经图案化的光刻胶特征，以便形成所述经图案化的抗反射涂层特征。

8.根据权利要求7所述的用于处理具有侧壁的图案特征的方法，其中所述图案特征为第一图案特征，其中所述侧壁具有第一侧壁轮廓，所述第一侧壁轮廓比第二侧壁轮廓凹进得少，所述第二侧壁轮廓形成于使用所述第二曝光植入所述离子的第二图案特征上，其中所述第二侧壁轮廓不经受所述第一曝光。

9.根据权利要求7所述的用于处理具有侧壁的图案特征的方法，其中所述第一曝光包括离子、真空紫外辐射和电子中的至少一个。

10.根据权利要求7所述的用于处理具有侧壁的图案特征的方法，其中所述第一曝光包括第一离子，其中所述离子包括具有大于所述第一离子的质量的第二离子，且其中所述第一离子具有大于所述第二离子的所述浅植入深度的深植入深度。

11.一种用于图案化基板的方法，包括：

在所述基板上提供图案特征；

将第一离子物质植入到所述图案特征内，所述第一离子物质具有经配置以产生第一植入深度的第一离子能量；以及

在植入所述第一离子物质后，将第二离子物质植入到所述图案特征内，所述第二离子物质具有小于所述第一植入深度的第二植入深度，

其中，在所述植入所述第一离子物质和所述第二离子物质后，所述图案特征包括壳和内部部分，所述壳比所述内部部分密集且交联，

其中所述图案特征为经图案化的抗反射涂层特征，所述用于处理基板的方法还包括当将抗反射涂层安置于经图案化的光刻胶特征下时，蚀刻所述经图案化的光刻胶特征，以便形成所述经图案化的抗反射涂层特征。