[发明专利]电容式传感器

说明书

作为即使在使用包括金属纳米线的透光性导电膜的情况下也能够得到充分的ESD耐性的电容式传感器，提供如下电容式传感器：该电容式传感器在基材设置有透光性导电膜的图案，其中，透光性导电膜包括金属纳米线，图案具有：检测图案，其通过多个检测电极以隔开间隔的方式排列而成；和多条引出布线，其从多个检测电极分别沿着第一方向呈直线状延伸出，检测图案中的至少一个检测电极包括电流路径设定部，该电流路径设定部延长从检测电极朝向引出布线的电流的直线路径长度。

技术领域

本发明涉及形成有包括金属纳米线的透光性导电膜的图案的电容式传感器。

背景技术

在专利文献1中公开了具备单层构造的透明导电膜的电容式传感器即触控开关。专利文献1所记载的触控开关的触控电极部以及从触控电极部延伸的布线部由网眼状的金属线形成。该触控开关的结构能够在小型的触控面板中实现，但当面板尺寸变得大型时需要配置许多细长的布线。另外，布线部由金属线形成，因此当使布线部细长时，布线部的电阻变高。

专利文献2所记载的触控面板在基板的表面形成有多个透明的导电构造体，该导电构造体由碳纳米管构成。另外，从导电构造体延伸出的导电线由ITO(Indium Tin Oxide)形成。

然而，当由ITO等形成导电线时，电阻会变高，因此导电线的电阻降低检测灵敏度。

为了解决这样的问题，正在研究包括金属纳米线的透光性导电膜来作为低电阻的透光性导电膜。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-191504号公报

专利文献2：日本特开2009-146419号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在单层构造的透光性导电膜使用金属纳米线的情况下，存在与ITO相比静电放电(ESD：Electro Static Discharge)耐性低这样的问题。作为其理由，可举出：(1)在使用金属纳米线的透光性导电膜中，与ITO相比电阻低；(2)即使是相同的图案，在ESD中也容易流动更多的电；(3)金属纳米线显现纳米尺寸的关系的导电性，因此与块体金属的熔点相比以低的温度熔融(因短时间内流动较多的电流时的热量而熔融)；(4)导通的实际体积本身少等。

于是，本发明的目的在于，提供即使在使用包括金属纳米线的透光性导电膜的情况下也能够得到充分的ESD耐性的电容式传感器。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题，本发明的电容式传感器是在基材设置有透光性导电膜的图案的电容式传感器，所述电容式传感器的特征在于，透光性导电膜包括金属纳米线，图案具有：检测图案，其通过多个检测电极以隔开间隔的方式排列而成；和多条引出布线，其从多个检测电极分别沿着第一方向呈直线状地延伸出，检测图案中的至少一个检测电极包括电流路径设定部，该电流路径设定部延长从检测电极朝向引出布线的电流的直线路径长度。根据这样的结构，通过设置电流路径设定部，从检测电极到引出布线为止的电流的直线路径长度被延长，因此能够抑制向引出布线瞬间流入电流，能够提高ESD耐性。

在本发明的电容式传感器中，也可以是，电流路径设定部具有狭缝图案，该狭缝图案以阻隔将检测电极的周缘与连接部分连结的直线的方式设置，所述连接部分是检测电极与引出布线的连接部分。根据这样的结构，欲从检测电极向引出布线流动的电流以避开狭缝图案的方式蜿蜒行进。由此，能够抑制向引出布线瞬间流入电流，能够提高ESD耐性。