[发明专利]电极结构及其制造方法

权利要求书

1.一种包括电极结构的超级电容器，所述电极结构包括：

导电基板；

第一层，包括第一电化学活性材料，所述第一电化学活性材料的特征在于具有一种或多种第一电化学特性；以及

第二层，包括第二电化学活性材料，所述第二电化学活性材料的特征在于具有一种或多种第二电化学特性，所述一种或多种第二电化学特性中的至少一种不同于所述一种或多种第一电化学特性；其中

所述第一层包括具有第一表面积的第一复合材料，所述第二层包括具有第二表面积的第二复合材料，所述第二表面积大于所述第一表面积，并且所述第一层与所述导电基板相邻，所述第二层与所述第一层相邻。

2.根据权利要求1所述的超级电容器，其中所述第一层是具有第一表面积的第一复合材料。

3.根据权利要求1所述的超级电容器，其中所述第二层是具有第二表面积的第二复合材料。

4.根据权利要求1所述的超级电容器，还包括分隔膜。

5.根据权利要求4所述的超级电容器，其中所述分隔膜是质子传导膜。

6.根据权利要求4所述的超级电容器，其中所述分隔膜是锂传导膜。

7.根据权利要求4所述的超级电容器，还包括由高导电碳材料组成的第三层。

8.根据权利要求7所述的超级电容器，其中所述第三层包括石墨烯。

9.根据权利要求7所述的超级电容器，其中所述第三层是石墨烯。

10.根据权利要求8所述的超级电容器，其中所述第三层的厚度在10nm到400nm的范围内。

11.根据权利要求8所述的超级电容器，其中所述第三层的厚度在50nm到300nm的范围内。

12.根据权利要求8所述的超级电容器，其中所述第三层的厚度在100nm到300nm的范围内。

13.根据权利要求8所述的超级电容器，其中所述第三层的厚度150nm到250nm的范围内。

14.根据权利要求8所述的超级电容器，其中所述第三层的厚度在175nm到225nm的范围内。

15.根据权利要求8所述的超级电容器，其中所述第三层的厚度为200nm。

16.根据权利要求4至15中任一项所述的超级电容器，其中所述第二层与分隔膜相邻。

17.根据权利要求7至15中任一项所述的超级电容器，其中所述第三层位于所述导电基板和所述第一层之间。

18.根据权利要求1所述的超级电容器，其中所述导电基板是与所述第一层相邻的由高导电碳材料组成的第三层。

19.根据权利要求18所述的超级电容器，其中所述高导电碳材料是石墨烯。

20.根据权利要求1至15中任一项所述的超级电容器，包括一个或多个附加层，所述一个或多个附加层中的每一个包括电化学活性材料，该电化学活性材料的特征在于具有一种或多种电化学特性，该一种或多种电化学特性中的至少一种不同于所述一种或多种第一电化学特性和/或所述一种或多种第二电化学特性。

21.根据权利要求1所述的超级电容器，其中所述第一层的厚度大于所述第二层的厚度，或者所述第一层的厚度等于或小于所述第二层的厚度。