[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580073264.2 | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN107112369B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 渡边宽 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，是经由pn结流过电流的双极器件，该半导体装置具备：
第一导电类型的碳化硅漂移层；
第二导电类型的第一碳化硅层，形成于所述碳化硅漂移层上；
第二导电类型的第二碳化硅层，形成于所述第一碳化硅层上；以及
第二导电类型的第三碳化硅层，形成于所述第二碳化硅层上，
所述第二碳化硅层的电阻的温度系数是正，
所述第二碳化硅层与所述第一碳化硅层相比，杂质浓度更低，
所述第三碳化硅层与所述第二碳化硅层相比，杂质浓度更高，
关于所述第二碳化硅层的杂质浓度，与所述第三碳化硅层侧的区域相比，第一碳化硅层侧的区域更低。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二碳化硅层的厚度是0.01μm以上且4μm以下。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二碳化硅层的第二导电类型的杂质浓度是1×1013个/cm3以上且4×1016个/cm3以下。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二碳化硅层的第二导电类型的杂质浓度是4×1015个/cm3以下。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二碳化硅层的厚度是所述碳化硅漂移层的厚度的1/10以下。
6.一种半导体装置的制造方法，是经由pn结流过电流的双极器件的制造方法，其中，
形成第一导电类型的碳化硅漂移层，
在所述碳化硅漂移层上形成第二导电类型的碳化硅层，
对所述碳化硅层的一部分注入第一导电类型的离子，从而将所述碳化硅层中的所述碳化硅漂移层侧的层形成为第一碳化硅层，将所述碳化硅层中的与所述碳化硅漂移层侧相反的一侧的层形成为第二碳化硅层，
所述第二碳化硅层的电阻的温度系数是正。
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