[发明专利]具有冲击状态保护的晶片容器有效
申请号: | 201580073722.2 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN107210251B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 瑞安·穆舍尔;贾森·T·斯蒂芬斯 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 冲击 状态 保护 晶片 容器 | ||
1.一种用于接纳及运输接合式晶片的晶片容器,所述晶片容器包括:
容器部,其包含界定开口内部的开口前部,及具有内表面的后壁;
门,其闭合界定所述开口内部的所述开口前部,所述门具有内表面;
晶片支撑件,其附接到所述门的所述内表面及所述后壁的所述内表面中的一者,所述晶片支撑件具有多对晶片边缘啮合部,所述多对晶片边缘啮合部具有第一晶片边缘啮合部和第二晶片边缘啮合部,每一晶片边缘啮合部界定具有主安放位置的凹槽,所述晶片边缘啮合部的每一者由第一聚合物材料构成,其中当所述晶片容器不在冲击状态时,晶片的边缘位于所述主安放位置,所述晶片支撑件进一步包含从每一主安放位置轴向偏移的冲击偏转区域,每一冲击偏转区域具有当所述晶片容器在冲击状态时经定位以接触晶片的冲击偏转接触部,其中所述冲击偏转接触部由第二聚合物材料构成,且其中所述第二聚合物材料比所述晶片边缘啮合部的所述第一聚合物材料更软。
2.根据权利要求1所述的晶片容器,其中所述冲击偏转接触部定位于所述主安放位置上方。
3.根据权利要求1所述的晶片容器,其中所述晶片支撑件的每一冲击偏转区域经定位向内进入所述容器部的内部而并非接近所述主安放位置处的所述晶片边缘啮合部的部分。
4.根据权利要求1所述的晶片容器,其中所述第二聚合物为弹性体。
5.根据权利要求1所述的晶片容器,其中所述冲击偏转接触区域居中地安置于形成所述多对晶片边缘啮合部的至少一部分的多个第一晶片边缘啮合部和第二晶片边缘啮合部之间。
6.根据权利要求1所述的晶片容器,其中所述冲击偏转接触区域沿着形成所述多对晶片边缘啮合部的多个第一晶片边缘啮合部或第二晶片边缘啮合部的一者延伸。
7.根据权利要求1所述的晶片容器,其中所述晶片支撑件附接到所述门的所述内表面。
8.根据权利要求1所述的晶片容器,其中所述晶片支撑件附接到所述容器部的所述后壁的所述内表面。
9.根据权利要求1所述的晶片容器,其包括附接到所述门的所述内表面的第一晶片支撑件和附接到所述容器部的所述后壁的所述内表面的第二晶片支撑件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造