[发明专利]具有无应力地固定的MEMS器件的模块有效

专利信息
申请号: 201580074032.9 申请日: 2015-11-06
公开(公告)号: CN107428526B 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: P.H.O.罗姆巴赫 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 臧永杰;刘春元
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有无 应力 固定 mems 器件 模块
【权利要求书】:

1.电模块(M),包括

-具有第一温度膨胀系数K1、第一固定点和第二固定点的载体(T),

-具有MEMS结构(ME、BP)、第二温度膨胀系数K2≠K1、第一固定点和第二固定点的MEMS器件(MB),

-在所述载体(T)的所述第一固定点和所述器件(MB)的所述第一固定点之间的第一机械连接(MV1),

-在所述载体(T)的所述第二固定点和所述器件(MB)的所述第二固定点之间的第二机械连接(MV2),所述第二机械连接(MV2)具有补偿结构(KS),所述补偿结构具有温度膨胀系数KK

其中

-在MEMS器件(MB)处的固定点具有水平间隔d1,并且在所述载体(T)上的所述固定点具有水平间隔d2

-选择d1和d2的值,使得所述补偿结构(KS)在温度变化时补偿d1和d2的不同的长度变化,并且所述MEMS器件(MB)在不同的温度的情况下无应力地与所述载体连接,

其中

-所述补偿结构(KS)沿着在所述两个第二固定点之间的连接方向跨越间隔Δd=d2-d1,和

-满足方程式 d2=d1(KK-K1)/(KK-K2)。

2.按照权利要求1所述的模块,其中KK

-要么大于两个值K1和K2中的较大值:KK>max(K1, K2),

-要么小于两个值K1和K2中的较小值:KK<min(K1, K2)。

3.按照权利要求1或2所述的模块,其中所述补偿结构(KS)包括水平分段(HA),所述水平分段布置在所述载体(T)上或者上方。

4.按照权利要求1或2所述的模块,此外包括一个或多个附加的补偿结构(KS),所述附加的补偿结构将所述载体(TS)的附加的固定点与所述MEMS器件(MB)的附加的固定点连接。

5.按照权利要求1或2所述的模块,其中所述第一机械连接(MV1)包括补偿结构(KS),该补偿结构(KS)与其余的补偿结构(KS)共同地在温度变化时补偿载体(T)和MEMS器件(MB)的所述不同的长度变化。

6.按照权利要求1或2所述的模块,其中至少一个补偿结构(KS)构成在载体(T)和MEMS器件(MB)之间的电接线。

7.按照权利要求1或2所述的模块,其中所述载体(T)包括陶瓷材料或有机印制电路板材料。

8.按照权利要求7所述的模块,其中所述载体(T)具有多个介电层,结构化的金属化层(ML)布置在所述介电层之间。

9.按照权利要求1或2所述的模块,其中所述MEMS器件(MB)包括由半导体材料制成的主体。

10.按照权利要求1或2所述的模块,其中至少一个补偿结构(KS)包括金属。

11.按照权利要求1或2所述的模块,其中所有补偿结构(KS)围绕中心(Z)径向对称地被布置。

12.按照权利要求1或2所述的模块,其中至少一个补偿结构(KS)与在所述载体(T)上的多个固定点和/或与在所述MEMS器件(MB)上的多个固定点连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580074032.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top