[发明专利]具有无应力地固定的MEMS器件的模块有效
申请号: | 201580074032.9 | 申请日: | 2015-11-06 |
公开(公告)号: | CN107428526B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | P.H.O.罗姆巴赫 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;刘春元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有无 应力 固定 mems 器件 模块 | ||
1.电模块(M),包括
-具有第一温度膨胀系数K1、第一固定点和第二固定点的载体(T),
-具有MEMS结构(ME、BP)、第二温度膨胀系数K2≠K1、第一固定点和第二固定点的MEMS器件(MB),
-在所述载体(T)的所述第一固定点和所述器件(MB)的所述第一固定点之间的第一机械连接(MV1),
-在所述载体(T)的所述第二固定点和所述器件(MB)的所述第二固定点之间的第二机械连接(MV2),所述第二机械连接(MV2)具有补偿结构(KS),所述补偿结构具有温度膨胀系数KK,
其中
-在MEMS器件(MB)处的固定点具有水平间隔d1,并且在所述载体(T)上的所述固定点具有水平间隔d2,
-选择d1和d2的值,使得所述补偿结构(KS)在温度变化时补偿d1和d2的不同的长度变化,并且所述MEMS器件(MB)在不同的温度的情况下无应力地与所述载体连接,
其中
-所述补偿结构(KS)沿着在所述两个第二固定点之间的连接方向跨越间隔Δd=d2-d1,和
-满足方程式 d2=d1(KK-K1)/(KK-K2)。
2.按照权利要求1所述的模块,其中KK
-要么大于两个值K1和K2中的较大值:KK>max(K1, K2),
-要么小于两个值K1和K2中的较小值:KK<min(K1, K2)。
3.按照权利要求1或2所述的模块,其中所述补偿结构(KS)包括水平分段(HA),所述水平分段布置在所述载体(T)上或者上方。
4.按照权利要求1或2所述的模块,此外包括一个或多个附加的补偿结构(KS),所述附加的补偿结构将所述载体(TS)的附加的固定点与所述MEMS器件(MB)的附加的固定点连接。
5.按照权利要求1或2所述的模块,其中所述第一机械连接(MV1)包括补偿结构(KS),该补偿结构(KS)与其余的补偿结构(KS)共同地在温度变化时补偿载体(T)和MEMS器件(MB)的所述不同的长度变化。
6.按照权利要求1或2所述的模块,其中至少一个补偿结构(KS)构成在载体(T)和MEMS器件(MB)之间的电接线。
7.按照权利要求1或2所述的模块,其中所述载体(T)包括陶瓷材料或有机印制电路板材料。
8.按照权利要求7所述的模块,其中所述载体(T)具有多个介电层,结构化的金属化层(ML)布置在所述介电层之间。
9.按照权利要求1或2所述的模块,其中所述MEMS器件(MB)包括由半导体材料制成的主体。
10.按照权利要求1或2所述的模块,其中至少一个补偿结构(KS)包括金属。
11.按照权利要求1或2所述的模块,其中所有补偿结构(KS)围绕中心(Z)径向对称地被布置。
12.按照权利要求1或2所述的模块,其中至少一个补偿结构(KS)与在所述载体(T)上的多个固定点和/或与在所述MEMS器件(MB)上的多个固定点连接。
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