[发明专利]用于电荷泵布置的阻抗电路和电荷泵布置

权利要求书

1.一种用于电荷泵设备的阻抗电路，包括：

- 第一电流镜电路，其具有充当电流输入端子的第一偏置、充当电流输出端子的第一输出以及用于与预先选择的电位耦合的第一输入，

- 用于利用第一参考电流使第一电流镜电路偏置的第一电荷泵，其中第一电荷泵包括与第一电流镜电路的第一偏置耦合的第一偏置输出，

- 第二电流镜电路，其具有充当电流输入端子的第二偏置、充当电流输出端子的第二输出和用于与预先选择的电位耦合的第二输入，

- 用于利用第二参考电流使第二电流镜电路偏置的第二电荷泵，其中第二电荷泵包括与第二电流镜电路的第二偏置耦合的第二偏置输出,

其中第一电流镜电路包括第一类型的半导体晶体管技术的晶体管，并且第二电流镜电路包括第二类型的所述半导体晶体管技术的晶体管，其中第一类型的晶体管与第二类型的晶体管互补，第一电流镜电路和第二电流镜电路反并联耦合，

其中阻抗电路包括器件输入和器件输出，第一电流镜电路的第一输出和第二电流镜电路的第二输出与器件输出耦合，并且第一电流镜电路的第一输入和第二电流镜电路的第二输入与器件输入耦合。

2.根据权利要求1所述的阻抗电路，其中第一电荷泵和/或第二电荷泵被配置成分别为第一参考电流和/或第二参考电流提供等于或小于1nA的绝对值，以用于分别使第一电流镜电路和/或第二电流镜电路偏置。

3.根据权利要求1或2所述的阻抗电路，其中第一电流镜电路和/或第二电流镜电路是基于在弱反型中操作的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

4.根据权利要求1或2所述的阻抗电路，其中第一电流镜电路包括NMOS晶体管，并且第二电流镜电路包括PMOS晶体管。

5.根据权利要求1或2所述的阻抗电路，第一电流镜电路包括：

- 第一NMOS晶体管，其包括栅极、充当第一电流镜电路的电流输入端子的漏极以及可连接到预先选择的电位的源极，以及

- NMOS晶体管块，其包括第二NMOS晶体管和至少一个另外的NMOS晶体管，第二NMOS晶体管和所述至少一个另外的NMOS晶体管串联布置，其中NMOS晶体管块包括与第一NMOS晶体管的栅极和漏极耦合的栅触点、充当第一电流镜电路的电流输出端子的漏触点以及可连接到预先选择的电位的源触点。

6.根据权利要求1或2所述的阻抗电路，第二电流镜电路包括

- 第一PMOS晶体管，其包括栅极、充当第二电流镜电路的电流输入端子的漏极以及可连接到预先选择的电位的源极，以及

- PMOS晶体管块，其包括第二PMOS晶体管和至少一个另外的PMOS晶体管，第二PMOS晶体管和所述至少一个另外的PMOS晶体管串联布置，其中PMOS晶体管块包括与第一PMOS晶体管的栅极和漏极耦合的栅触点、充当第二电流镜电路的电流输出端子的漏触点以及可连接到预先选择的电位的源触点。

7.根据权利要求1或2所述的阻抗电路，其中第一电荷泵和/或第二电荷泵每一个包括多个相同级，其每一个包括二极管和泵送电容器，其中连贯级中的电容器由至少两个非重叠的时钟信号驱动。

8.一种电荷泵设备，包括：

- 被配置成提供给定输出电压的主电荷泵，以及

- 被配置成对主电荷泵的输出电压进行滤波的滤波器元件，滤波器元件包括根据权利要求1至7中的任一项所述的阻抗电路。