[发明专利]微电子内建层及其形成方法

权利要求书

1.一种制造微电子内建层的方法，包括：

形成包括具有散布在其中的金属化催化剂的电介质材料的微电子电介质层，其中，所述微电子电介质层包括第一表面；

在所述微电子电介质层的第一表面上形成底漆层；

穿过所述底漆层并且进入所述微电子电介质层形成凹槽；以及

在所述凹槽内形成与所述微电子电介质层相邻的金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，穿过所述底漆层并且进入所述微电子电介质层形成所述凹槽包括：穿过所述底漆层并且进入所述微电子电介质层激光消融出凹槽。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成包括具有散布在其中的所述金属化催化剂的所述电介质材料的所述微电子电介质层包括：环氧聚合物混合电介质材料。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成包括具有散布在其中的所述金属化催化剂的所述电介质材料的所述微电子电介质层包括：选自于由钯盐、银盐、铜盐、铂盐和镍盐构成的组的金属化催化剂。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述微电子电介质层的第一表面上形成所述底漆层包括：在所述微电子电介质层的第一表面上形成有机聚合物底漆层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述微电子电介质层的第一表面上形成所述有机聚合物底漆层包括：形成选自于由环氧-苯酚材料和环氧-酰亚胺材料构成的组的有机聚合物底漆层。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述凹槽内的所述电介质材料层上形成所述金属层包括：

对所述凹槽内的所述微电子电介质层进行活化以在所述电介质材料层内形成活化层；并且

在所述活化层上沉积金属层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，对所述微电子电介质层进行活化包括：将所述微电子电介质层和底漆层浸入活化溶液。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述微电子电介质层和底漆层浸入活化溶液包括：将所述微电子电介质层和底漆层浸入二甲基胺硼烷活化溶液。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述活化层上沉积金属层包括：将所述活化层浸入沉积溶液。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，将所述活化层浸入沉积溶液包括：将活化层浸入包括金属盐和还原剂的水沉积溶液。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，将所述活化层浸入包括金属盐和还原剂的水沉积溶液包括：将所述活化层浸入包括铜盐和还原剂的水沉积溶液。

13.一种微电子内建层，包括：

包括具有散布在其中的金属化催化剂的电介质材料的微电子电介质层，其中，所述微电子电介质层包括第一表面；

位于所述微电子电介质层的第一表面上的底漆层；

穿过所述底漆层并且进入所述微电子电介质层的凹槽；以及

在所述凹槽内与所述微电子电介质层相邻的金属层。

14.根据权利要求13所述的微电子内建层，其中，穿过所述底漆层并且进入所述微电子电介质层的所述凹槽包括：穿过所述底漆层并且进入所述微电子电介质层的激光消融出的凹槽。

15.根据权利要求13所述的微电子内建层，其中，包括具有散布在其中的所述金属化催化剂的所述电介质材料的所述微电子电介质层包括：环氧聚合物混合电介质材料。

16.根据权利要求13-15中的任一项所述的微电子内建层，其中，包括具有散布在其中的所述金属化催化剂的所述电介质材料的所述微电子电介质层包括：选自于由钯盐、银盐、铜盐、铂盐和镍盐构成的组的金属化催化剂。

17.根据权利要求13-15中的任一项所述的微电子内建层，其中，位于所述微电子电介质层的第一表面上的所述底漆层包括：位于所述微电子电介质层的第一表面上的有机聚合物底漆层。

18.根据权利要求17所述的微电子内建层，其中，位于所述微电子电介质层的第一表面上的所述有机聚合物底漆层包括：选自于由环氧-苯酚材料和环氧-酰亚胺材料构成的组的有机聚合物底漆层。