[发明专利]制造互连太阳能电池阵列的方法有效
申请号: | 201580074147.8 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN107210372B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 约翰·博斯曼;崔斯特瑞姆·布德尔 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用自然科学研究组织TNO |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L27/30;H01L51/42 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 互连 太阳能电池 阵列 方法 | ||
1.制作互连太阳能电池阵列的方法,包括以下步骤:
a)在基板(8)上设置规定厚度(t)的连续层堆(1),所述层堆(1)包括上传导层(2)和下传导层(3),所述上传导层(2)和所述下传导层(3)具有介于它们之间的光敏层(4)和半导体电子传输层(6);
b)选择性地去除所述上传导层(2)和所述光敏层(4),以获得暴露所述半导体电子传输层(6)的接触孔(10);
c)将所述层堆(1)选择性地加热至第一深度(d1),以获得与所述接触孔(10)距离第一中心距(s1)的第一热影响区(12),将所述第一热影响区(12)转变成所述层堆中具有所述第一深度(d1)的基本绝缘区域,从而向所述层堆(1)局部地提供增大的电阻率。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:
d)将所述层堆(1)选择性地加热至小于所述规定厚度(t)的第二深度(d2),以获得与所述接触孔(10)距离第二中心距(s2)的第二热影响区(14),
将所述第二热影响区(14)转变成所述层堆(1)的、具有所述第二深度(d2)的基本绝缘区域,从而在直至所述层堆1中的所述第二深度(d2)局部地提供增大的电阻率。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第二深度(d2)等于所述上传导层(2)和所述光敏层(4)的组合厚度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述步骤(c)的选择性地加热包括在第一规定周期期间将所述层堆(1)连续地加热至所述第一深度(d1)。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一深度(dl)等于所述规定厚度(t)。
6.根据权利要求2或3所述的方法,其中,所述步骤(d)的选择性地加热包括在第二规定周期期间将所述层堆(1)连续地加热至所述第二深度(d2)。
7.根据权利要求2所述的方法,其中,所述步骤c)、d)的选择性地加热至所述第一深度(d1)和/或所述第二深度(d2)包括连续波非烧蚀激光划线。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(b)的选择性地去除所述上传导层(2)和所述光敏层(4)包括在规定脉动周期期间脉冲加热所述上传导层和所述光敏层。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(b)的选择性地去除包括脉冲激光烧蚀。
10.根据权利要求1所述的方法,在所述步骤a)、所述步骤b)和所述步骤c)之后,还包括以下步骤:
e)沉积电子互连构件(16),所述电子互连构件(16)至少部分连续地覆盖所述接触孔(10)、在所述接触孔(10)远侧的所述第一热影响区(12)和所述上传导层(2)。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,沉积所述电子互连构件(e)包括使用印刷化合物对所述电子互连构件进行导电印刷,所述印刷化合物包括银、碳、铜、铝和/或碳纳米管。
12.根据权利要求2所述的方法,其中,所述选择性去除步骤(b)和所述选择性加热至所述第一深度和所述第二深度(d1、d2)的步骤c)、d)同时执行。
13.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第二热影响区(12)的宽度大于所述接触孔(10)的宽度,所述接触孔(10)布置在所述第二热影响区(14)内。
14.根据权利要求1所述的方法,其中,所述上传导层(2)和所述下传导层(3)中的每个均为聚合物层,所述光敏层(4)包括有机材料。
15.根据权利要求中1所述的方法,其中,所述基板(8)是包括塑料箔的柔性基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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