[发明专利]基板冲洗系统及方法有效
申请号: | 201580074176.4 | 申请日: | 2015-12-14 |
公开(公告)号: | CN107210249B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | J·S·弗兰克尔;B·J·布朗;V·S·弗朗西谢蒂;P·麦克休;K·M·汉森;E·米卡利辰可 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冲洗 系统 方法 | ||
1.一种配置成向基材提供冲洗流体的瀑布设备,包括:
下部分,所述下部分具有:
第一宽度;
第一容室、与所述第一容室分离并且位于所述第一容室上方的第二容室、和在所述第一与第二容室之间延伸的受限流体路径;
第一表面,位于所述下部分的上侧上;和
入口开口,所述入口开口产生介于所述第一表面与所述第一容室之间的流体路径;以及
上部分,至少部分地耦接至所述下部分,所述上部分具有:
第二宽度,所述第二宽度大于所述第一宽度;
第二表面,位于所述上部分的下侧上;和
入口,所述入口与所述下部分的所述入口开口对齐,以产生贯穿所述上部分至所述第一容室的流体路径;
其中所述下部分的所述第一表面与所述上部分的所述第二表面形成沟槽,所述沟槽沿着所述瀑布设备的长度的至少一部分延伸且连接到所述第二容室;且
其中被引进到所述上部分的所述入口的流体填充所述下部分的所述第一容室,行进通过所述受限流体路径至所述第二容室,并且离开介于所述上部分与下部分之间的所述沟槽,以形成冲洗流体瀑布。
2.如权利要求1所述的瀑布设备,其中形成在所述上部分与下部分之间的所述沟槽所具有的长度大于用所述瀑布设备冲洗的基材的直径。
3.如权利要求2所述的瀑布设备,其中所述沟槽具有比用所述瀑布设备冲洗的基材的直径长10至100mm的长度。
4.如权利要求2所述的瀑布设备,其中所述沟槽的长度为310至400mm。
5.如权利要求1所述的瀑布设备,其中所述沟槽具有小于0.5mm的高度。
6.如权利要求1所述的瀑布设备,其中所述第一容室包括第一侧、与所述第一侧相对的第二侧、以及在所述第一侧与所述第二侧之间延伸的第三侧,其中所述第一侧比所述第二侧短,并且所述第三侧相对于所述下部分的所述第一表面以一角度在所述第一与第二侧之间延伸。
7.如权利要求6所述的瀑布设备,其中所述第三侧相对于所述第一表面的角度介于1与10度之间。
8.如权利要求1所述的瀑布设备,其中所述受限流体路径的至少一部分具有和所述沟槽的长度相等的长度,并且所述第一与第二容室具有和所述沟槽的长度相等的长度。
9.如权利要求1所述的瀑布设备,其中所述上部分的所述第二表面所具有的宽度大于所述下部分的所述第一表面的宽度,以使得行进通过形成在所述第一与第二表面之间的所述沟槽的流体在打破与所述第二表面的接触之前打破与所述第一表面的接触。
10.如权利要求1所述的瀑布设备,其中所述上部分包括导流件,所述导流件定位在所述沟槽的端部处且相对于所述上部分的所述第二表面以一角度重新定向流动通过所述沟槽的冲洗流体。
11.如权利要求10所述的瀑布设备,其中所述角度相对于所述第二表面为40至60度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造