[发明专利]二氧化硅覆盖碳黑及使用其的电极用组合物、二次电池用电极以及二次电池有效
申请号: | 201580074376.X | 申请日: | 2015-11-26 |
公开(公告)号: | CN107207876B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 名古裕辉;西川美佳;伊藤哲哉;横田博;今井崇人 | 申请(专利权)人: | 电化株式会社 |
主分类号: | C09C1/48 | 分类号: | C09C1/48;C09C1/56;C09C3/08;C09C3/12;H01M4/13;H01M4/139;H01M4/62 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 二氧化硅 压缩DBP吸收量 二次电池 四烷氧基硅烷 导电性 水解缩合物 长寿命 分散性 电极 覆盖 电池 | ||
1.一种二氧化硅覆盖碳黑,其包含:
碳黑、和
覆盖所述碳黑的表面的二氧化硅,
所述碳黑的DBP吸收量相对于压缩DBP吸收量之比即DBP吸收量/压缩DBP吸收量为2.2以下,
所述二氧化硅包含式(1)所示的四烷氧基硅烷的水解缩合物,
(CnH2n+1O)4-Si (1)
式(1)中,n表示1以上且5以下的整数。
2.根据权利要求1所述的二氧化硅覆盖碳黑,其中,所述二氧化硅是在式(2)所示的铵盐的共存下,使相对于所述铵盐的质量比为20~250的所述四烷氧基硅烷进行水解及缩合而得到的,
式(2)中,X表示Cl、Br或I,m表示3以上且30以下的整数。
3.根据权利要求2所述的二氧化硅覆盖碳黑,其中,所述铵盐为十六烷基三甲基氯化铵。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的二氧化硅覆盖碳黑,其中,所述n为1以上且3以下的整数。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的二氧化硅覆盖碳黑,其中,所述二氧化硅的覆盖量相对于所述二氧化硅及所述碳黑的总量为10质量%~30质量%。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的二氧化硅覆盖碳黑,其中,所述碳黑为乙炔黑。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的二氧化硅覆盖碳黑,其体积电阻率为1×105Ω·cm以下。
8.根据权利要求1~3中任一项所述的二氧化硅覆盖碳黑,其中,所述碳黑的DBP吸收量为280mL/100g。
9.根据权利要求1~3中任一项所述的二氧化硅覆盖碳黑,其体积电阻率为1×103Ω·cm以下。
10.一种电极用组合物,其包含:
权利要求1~9中任一项所述的二氧化硅覆盖碳黑;
选自由能吸收及释放阳离子的正极活性物质、和能吸收及释放阳离子的负极活性物质组成的组中的至少一种;和
粘结剂。
11.一种二次电池用电极,其具备:
金属箔、和
设置在所述金属箔上的权利要求10所述的电极用组合物的涂膜。
12.一种二次电池,其中,正极及负极中的至少一者中具备权利要求11所述的二次电池用电极。
13.一种二氧化硅覆盖碳黑的制造方法,其包括如下工序:在包含碳黑的分散液中,使式(1)所示的四烷氧基硅烷水解及缩合,以包含所述四烷氧基硅烷的水解缩合物的二氧化硅覆盖所述碳黑的表面,
所述碳黑的DBP吸收量相对于压缩DBP吸收量之比即DBP吸收量/压缩DBP吸收量为2.2以下,
(CnH2n+1O)4-Si (1)
式(1)中,n表示1以上且5以下的整数。
14.根据权利要求13所述的制造方法,其中,所述分散液还包含式(2) 所示的铵盐,
所述四烷氧基硅烷相对于所述铵盐的质量比为20~250,
式(2)中,X表示Cl、Br或I,m表示3以上且30以下的整数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电化株式会社,未经电化株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580074376.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:水处理装置以及水处理方法
- 下一篇:一种干粉涂料搅拌研磨系统