[发明专利]太阳能电池组件和太阳能电池组件的制造方法在审
申请号: | 201580074723.9 | 申请日: | 2015-11-10 |
公开(公告)号: | CN107231819A | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 大和田宽人;山川直树;降簱智欣;塚田淳一 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 杜丽利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池组件及其制造方法。
背景技术
使由硅等的半导体基板构成的太阳能电池元件连结而形成的结晶型太阳能电池组件在受光面侧具有玻璃等的透光性基板,在最背面侧具有玻璃等的透光性基板或PET膜等的背面保护材料,作为在其间存在的封装材料,广泛地使用了EVA。
另一方面,近年来大量地建设了称为Mega Solar的具有大规模发电容量的太阳光发电系统。这样的具有大规模发电容量的太阳光发电系统有时对各个太阳能电池组件施加的电压成为高电压,因所设置的室外的状况的不同,发生太阳能电池组件的输出功率降低的现象。该输出功率降低现象称为PID(Potential Induced Degradation)。
作为原因之一,报道了如下等:通过对组件单独施加高电压,从而玻璃中的Na+成分在封装材料中通过,到达了太阳能电池单元表面,结果发生太阳能电池单元的表面再结合,使输出功率降低(非专利文献1)。
作为用于改善这样的问题的对策,有太阳能电池单元的受光面减反射膜的改进(专利文献1)。
但是,就受光面减反射膜的改进而言,存在使太阳能电池单元输出功率少许降低、在太阳能电池单元减反射膜形成工序中必须在设备上进行改进等问题。
另外,作为太阳光发电系统的对策,有如下方法:使用绝缘变压器附属的变换器,以使太阳能电池组件的发电元件部成为负电位。但是,以变换器的高效率化、成本降低为目的,大量导入无变压器型变换器,采用系统改变的对策困难。
作为用于改善这样的问题的对策,有封装材料的改变。PID现象一般在使用了EVA的情况下大量地得以确认(非专利文献1)。作为具有PID耐性的封装材料,可列举出离聚物,但离聚物具有成本高、使太阳能电池组件生产成本上升的问题。
另外,也提出了用离聚物与EVA的层叠体进行密封的结构的太阳能电池组件(非专利文献2)。在该结构中,离聚物防止来自受光面玻璃的Na+扩散,能够抑制PID发生。但是,离聚物与EVA用真空层压机重叠而进行加热·真空·压制的情况下,在界面容易残留气泡,难以良好地得到成型体。作为其对策,提出了在EVA与离聚物之间插入透明PET树脂膜片的方法(专利文献2)。
在该方法中,在玻璃与单元之间必须使离聚物、PET树脂膜、EVA这3层层叠而进行层压,工序繁杂。
另外,作为不发生PID的封装材料,可列举出有机硅。在使用了有机硅作为封装材料的太阳能电池组件中,报道了不易发生PID现象(非专利文献1)。
但是,一般有机硅为液体,为了导入太阳能电池组件工序,新的设备投入变得必要,除此以外,还存在材料成本高、太阳能电池组件的制造成本上升的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-11246号公报
专利文献2:日本特开2014-157874号公报
非专利文献
非专利文献1:PVeye8月号(2012)
非专利文献2:P.Hacke等,“Characterization of Multicrystalline Silicone Modules with System Bias Voltage Applied in Damp Heat”,25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition,Valensia,Spain,2010
发明内容
发明要解决的课题
本发明为了解决上述课题而完成,目的在于提供太阳能电池组件工序容易、并且获得良好的层压密封、PID耐性优异的太阳能电池组件及其制造方法。
用于解决课题的手段
本发明人为了实现上述目的而进行了锐意研究,结果获知将EVA与有机硅的层叠体用于太阳能电池元件串(多个太阳能电池元件和将这些太阳能电池元件连结的连结体)的密封是有效的。
即,本发明提供下述太阳能电池组件及其制造方法。
[1]太阳能电池组件,是在受光面侧具有透光性基板、在背面侧具有背面保护材料的太阳能电池组件,其特征在于,作为受光面侧透光性基板与太阳能电池元件之间的封装材料,为EVA(乙烯-醋酸乙烯酯共聚物)与有机硅邻接且层叠了的结构,太阳能电池元件与背面保护材料之间为用EVA密封的结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的