[发明专利]在射频设备中的集成CMOS发送/接收开关

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)裸芯，包括：

功率放大器，包含具有初级绕组和次级绕组的变压器，所述功率放大器被配置为在发送模式中以放大在所述初级绕组上所接收的射频(RF)发送信号并且在所述次级绕组的天线侧上提供所放大的RF发送信号，所述功率放大器还被配置为在接收模式中以将RF接收信号从所述次级绕组的天线侧发送到所述次级绕组的接收侧；以及

在所述次级绕组的接收侧和所述裸芯的接合焊盘之间的发送/接收开关。

2.根据权利要求1所述的CMOS裸芯，其中，在发送模式中，所述发送/接收开关被配置为闭合，产生从所述次级绕组的接收侧到所述接合焊盘的低阻抗路径，以及在接收模式中，所述发送/接收开关被配置为断开，产生从所述次级绕组的接收侧到所述接合焊盘的高阻抗路径。

3.根据权利要求2所述的CMOS裸芯，还包括与所述次级绕组的接收侧电连通的接收端口。

4.根据权利要求3所述的CMOS裸芯，其中，所述开关包含与所述次级绕组的接收侧电连通的第一端子、与所述接合焊盘电连通的第二端子以及接收发送/接收控制信号的控制输入。

5.根据权利要求4所述的CMOS裸芯，其中，所述CMOS裸芯是体CMOS裸芯。

6.根据权利要求2所述的CMOS裸芯，还包括被放置在所述开关和所述接合焊盘之间、并被配置为在所述发送模式中改善所述接收端口与所述RF发送信号的隔离的补偿电路。

7.根据权利要求6所述的CMOS裸芯，其中，所述补偿电路包含电容器。

8.根据权利要求6所述的CMOS裸芯，其中，所述补偿电路抵消位于所述接合焊盘和所述开关之间的路径中的接合线的电抗。

9.根据权利要求1所述的CMOS裸芯，其中，所述接合焊盘连接到地参考。

10.根据权利要求1所述的CMOS裸芯，其中，所述功率放大器包含被连接到所述初级绕组的多个放大器驱动器级。

11.根据权利要求1所述的CMOS裸芯，其中，所述初级绕组接收一组偏置信号，这组偏置信号在所述发送模式中具有第一组值以将所述初级绕组偏置在第一状态，并且在所述接收模式中具有第二组值以将所述初级绕组偏置在第二状态，在所述第二状态中所述初级绕组和所述次级绕组的中心频率之间的差大于当所述初级绕组被偏置在所述第一状态时所述初级绕组和所述次级绕组的中心频率之间的差。

12.根据权利要求1所述的CMOS裸芯，其中，所述功率放大器是分布式有源变压器型功率放大器。

13.根据权利要求1所述的CMOS裸芯，其中，所述次级绕组的几何形状大致与所述初级绕组的几何形状相匹配。

14.根据权利要求13所述的CMOS裸芯，其中，所述初级绕组具有大致符合所述次级绕组的内部边界的内绕组和大致符合所述次级绕组的外部边界的外绕组。

15.一种无线设备，包括：

射频(RF)天线；以及

包含功率放大器的半导体裸芯，所述功率放大器包含具有初级绕组和次级绕组的变压器，所述功率放大器被配置为在发送模式中以放大在所述初级绕组上所接收的RF发送信号并且在所述次级绕组的天线侧上提供所放大的RF发送信号，所述功率放大器还被配置为在接收模式中以将RF接收信号从所述次级绕组的天线侧发送到所述次级绕组的接收侧，所述裸芯还包含在所述次级绕组的接收侧和所述裸芯的接合焊盘之间的发送/接收开关。

16.根据权利要求15所述的无线设备，其中，在发送模式中，所述发送/接收开关被配置为闭合，产生从所述次级绕组的接收侧到所述接合焊盘的低阻抗路径，以及在接收模式中，所述发送/接收开关被配置为断开，产生从所述次级绕组的接收侧到所述接合焊盘的高阻抗路径。

17.根据权利要求15所述的无线设备，其中，所述半导体裸芯是体互补金属氧化物半导体(CMOS)裸芯。