[发明专利]磁存储器、将数据写入磁存储器的方法及半导体装置

权利要求书

1.一种磁存储器，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底中集成有晶体管；

与所述半导体衬底分开设置的可变形基板；

至少一个自旋器件元件，所述至少一个自旋器件元件与所述可变形基板耦合并且包括存储一比特数据的记录层，其中，所述记录层的第一磁化方向与所述一比特数据的第一数据值相关联，并且所述记录层的与所述第一磁化方向相反的第二磁化方向与所述一比特数据的第二数据值相关联；以及

弯曲机构，所述弯曲机构弯曲所述可变形基板，

其中，所述可变形基板面向未填充有固体物质的空间，所述空间被提供在所述可变形基板与所述半导体衬底之间。

2.根据权利要求1所述的磁存储器，其中，所述弯曲机构被配置成利用压电效应来弯曲所述可变形基板。

3.根据权利要求1所述的磁存储器，其中，所述自旋器件元件被定位成隔着所述可变形基板与未填充有固体物质的所述空间相对。

4.根据权利要求3所述的磁存储器，其中，所述自旋器件元件与所述可变形基板的上表面耦合，以及

其中，所述可变形基板的下表面面向未填充有固体物质的所述空间。

5.根据权利要求1所述的磁存储器，其中，所述弯曲机构包括与所述可变形基板耦合的压电层。

6.根据权利要求1所述的磁存储器，其中，所述可变形基板包括：

核心层；

与所述核心层耦合的压电层；

与所述压电层耦合的电极层；以及

覆盖所述电极层和所述核心层的介电层，

其中，所述压电层作为用于弯曲所述可变形基板的所述弯曲机构来操作。

7.根据权利要求1所述的磁存储器，其中，所述弯曲机构包括电容器电极，

其中，所述可变形基板包括电极层，

其中，所述电容器电极与所述电极层相对，以及

其中，所述弯曲机构被配置成当在所述电容器电极和所述电极层之间施加电压时，通过利用作用在所述电容器电极和所述电极层之间的力来弯曲所述可变形基板。

8.根据权利要求1所述的磁存储器，其中，所述可变形基板包括面向未填充有固体物质的所述空间的可变形部分，并且

其中，所述可变形基板的所述可变形部分具有一对固定端和一对自由端，使得在所述固定端之间的第一方向垂直于在所述自由端之间的第二方向。

9.根据权利要求8所述的磁存储器，其中，所述自旋器件元件包括将数据存储为所述磁化方向的记录层，以及

其中，所述记录层具有面向所述第一方向的第一端和面向与所述第一方向相反的第三方向的第二端，

其中，所述自旋器件元件被布置成使得所述可变形部分的中心面与所述记录层的所述第一端之间的距离不同于所述可变形部分的所述中心面与所述记录层的所述第二端之间的距离，所述中心面被定义为垂直于所述第一方向并且距所述可变形部分的所述固定端相等距离的平面。

10.根据权利要求8所述的磁存储器，其中，所述自旋器件元件包括将数据存储为所述磁化方向的记录层，并且

其中，所述自旋器件元件被布置成使得整个所述记录层位于所述可变形部分的所述固定端中的一个与所述可变形部分的中心面之间，所述中心面被定义为垂直于所述第一方向并且距所述可变形部分的所述固定端相等距离的平面。

11.根据权利要求1所述的磁存储器，其中，所述至少一个自旋器件元件的数量为多个，并且

其中，所述多个自旋器件元件与所述可变形基板耦合。