[发明专利]电路封装

权利要求书

1.一种电路封装，包括：

封装，

所述封装中的电路器件，其中

所述封装包括具有第一CTE的第一环氧模塑化合物和具有比所述第一CTE高的第二CTE的第二环氧模塑化合物，所述第二环氧模塑化合物是比所述第一环氧模塑化合物更邻近于所述电路器件设置的，使得所述电路器件和所述第二环氧模塑化合物形成具有补偿了所述第一环氧模塑化合物的热膨胀的CTE的复合部分。

2.如权利要求1所述的电路封装，其中

所述第二环氧模塑化合物在与所述电路器件相同的平面中延伸，并且

所述第一环氧模塑化合物在所述第二环氧模塑化合物之下且在所述电路器件之下延伸。

3.如权利要求1所述的电路封装，包括电路器件的阵列。

4.如权利要求1所述的电路封装，其中所述第一环氧模塑化合物具有比所述第二环氧模塑化合物高的填充物重量百分比。

5.如权利要求1所述的电路封装，其中填充物在环氧模塑化合物中的重量百分比在远离所述电路器件的至少一个方向上增大。

6.如权利要求1所述的电路封装，其中所述第二环氧模塑化合物的总体积小于所述第一环氧模塑化合物的总体积。

7.如权利要求1所述的电路封装，其中所述电路器件包括流体通道，并且所述封装包括开放到所述流体通道中的流体孔。

8.一种压模方法，包括：

将不同成分的至少两个环氧模塑化合物沉积在腔之上，其中环氧模塑化合物中的第一环氧模塑化合物具有第一CTE并且环氧模塑化合物中的第二环氧模塑化合物具有比所述第一CTE高的第二CTE，

对化合物进行加热，

将电路器件沉积在所述环氧模塑化合物中的至少一个中，其中所述第二环氧模塑化合物是比所述第一环氧模塑化合物更邻近于所述电路器件设置的，使得所述电路器件和所述第二环氧模塑化合物形成具有补偿了所述第一环氧模塑化合物的热膨胀的CTE的复合部分，以及

冷却所述电路器件和所述环氧模塑化合物。

9.如权利要求8所述的方法，包括：将所述第二环氧模塑化合物的相对较薄的层沉积在所述第一环氧模塑化合物的相对较厚的层之上。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述电路器件被设置在与所述第二环氧模塑化合物相同的层中。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述第一环氧模塑化合物具有比所述第二环氧模塑化合物高的填充物重量百分比。

12.如权利要求11所述的方法，包括：沉积所述环氧模塑化合物，使得存在从所述第二环氧模塑化合物的层到所述第一环氧模塑化合物的层的填充物密度梯度。

13.如权利要求8所述的方法，其中沉积不同成分的至少两个环氧模塑化合物包括形成B阶段环氧模塑化合物片材，包括：

配给第一填充物密度的第一环氧模塑化合物，

配给与所述第一填充物密度不同的第二填充物密度的第二环氧模塑化合物，以及

形成在片材的至少一个方向上变化的填充物密度的环氧模塑化合物的B阶段片材。

14.如权利要求13所述的方法，包括：

从第一挤压头配给第一填充物密度的第一环氧模塑化合物的第一层，以及

从第二挤压头配给与所述第一填充物密度不同的第二填充物密度的第二环氧模塑化合物的第二层，以及

形成在片材的厚度方向上具有填充物密度梯度的环氧模塑化合物的B阶段片材。