[发明专利]在衬底上形成钴互连有效
| 申请号： | 201580075674.0 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107208295B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 罗伊·沙维夫;约翰·莱姆;蒂莫西·博赫曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C25D3/12 | 分类号： | C25D3/12;C25D5/10;C25D5/18;C25D5/50;C25D7/12;C25D17/00;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 形成 互连 | ||
【权利要求书】：
1.一种处理方法，包括以下步骤：
A)放置晶片到第一电镀腔室内，所述晶片包含晶种层且不含阻挡层，所述第一电镀腔室具有含钴离子的第一电解质；
B)以第一沉积速率电镀第一钴膜到所述晶种层上；
C)清洗与干燥所述晶片；
D)放置所述晶片到第二电镀腔室内，所述第二电镀腔室具有含钴离子的第二电解质；及
E)以第二沉积速率电镀第二钴膜到所述第一钴膜上，所述第二沉积速率比所述第一沉积速率快，倍数是二至二十倍。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一电镀腔室与所述第二电镀腔室处于单一围壁内，并且所述方法还包括以下步骤：在步骤B之后且在步骤C之前于所述围壁内退火处理所述晶片。
3.如权利要求2所述的方法，还包括以下步骤：在所述围壁内等离子体或热预处理所述晶片。
4.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在步骤B之后退火处理所述晶片，并且接着重复步骤B至少一次。
5.如权利要求1所述的方法，其中在步骤B中，所述第一电解质接触晶片的整个面向下表面。
6.如权利要求5所述的方法，其中在步骤D中，所述第二电解质被封闭而免于接触所述晶片的周边处的电接点。
7.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在步骤D之后退火处理所述晶片。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一电解质不同于所述第二电解质。
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