[发明专利]热处理方法

权利要求书

1.一种热处理方法，其特征在于，包括：

步骤(a)，准备在一个主面上形成有包含掺杂剂的单分子层薄膜及多分子层薄膜中的至少一方薄膜的基板；

步骤(b)，将在所述步骤(a)准备的所述基板配置于腔室内；

步骤(c)，用连续地照射光的第一灯向在所述步骤(b)配置于所述腔室内的所述基板照射光，来实施保持在温度高于加热之前的温度的第一温度区域的预备热处理，从而将包含于所述薄膜的所述掺杂剂从该薄膜导入所述基板的表层；以及，

步骤(d)，用第二灯向在所述步骤(c)实施了预备热处理且配置于所述腔室内的所述基板照射闪光，来将所述基板从所述第一温度区域加热到温度高于该第一温度区域的第二温度区域，从而对在所述步骤(c)导入所述基板的表层的所述掺杂剂进行活化。

2.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，

在所述步骤(c)，用所述第一灯向配置于所述腔室内的所述基板照射光，来实施所述第一温度区域中的高温侧的高温度区域的第一热处理，并且在实施该第一热处理之后，实施所述第一温度区域中的与所述高温度区域相比更靠低温侧的低温度区域的第二热处理；

在所述步骤(d)，用所述第二灯向在所述步骤(c)实施了所述第二热处理且配置于所述腔室内的所述基板照射所述闪光，来将所述基板从所述低温度区域加热到所述第二温度区域。

3.根据权利要求1或2所述的热处理方法，其特征在于，

在所述步骤(d)中，所述第二灯向所述基板照射所述闪光的照射时间为0.1毫秒至100毫秒。

4.根据权利要求1或2所述的热处理方法，其特征在于，

在所述步骤(a)中，作为所述基板，准备在一个主面上直接形成有所述薄膜的半导体基板。