[发明专利]封装装置有效
申请号: | 201580075725.X | 申请日: | 2015-10-23 |
公开(公告)号: | CN107251208B | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 早田滋;汤泽浩也;松木雄介 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本东京武藏村*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 装置 | ||
本发明提供一种封装装置,包括:接合台(83),对载置在上表面上的基板(引线框架)(61)或安装在基板(引线框架)(61)上的半导体模具(63)进行加热;摄像器件(20),配置在接合台(83)的上方,对载置在接合台(83)上的基板(61)或安装在基板(61)上的半导体模具(63)的图像进行拍摄;以及驻波产生器件(35),使接合台(83)的上表面与摄像器件(20)之间的空间内产生超声波的驻波。由此,利用简单的构成来提高摄像器件的图像位置检测精度。
技术领域
本发明涉及一种将电子零件封装在作为被接合对象的基板上的封装装置的构造。
背景技术
在组装半导体装置时,会使用将半导体模具安装在基板或引线框架上的模具接合装置、或利用线(wire)将安装在基板上的半导体模具的电极与基板的电极加以连接的打线接合装置(wire bonding device)等接合装置。打线接合装置是将吸附固定在接合台上的基板或安装在基板上的半导体模具加热至200℃~250℃左右,一面对这些电极施加超声波激发(ultrasonic excitation),一面利用毛细管(capillary)等接合工具使金、银、铜等的细线热压接而将金属细线接合在各电极上。又,模具接合装置是使用如下方式的装置:对吸附固定在涂布有粘合剂的接合台上的基板进行加热,并在将半导体模具热压接至其上之后使粘合材料热硬化而将半导体模具固定在基板上;或者将吸附固定在接合台上的引线框架加热至300℃~450℃左右,并使半导体模具共晶接合(eutectic bonding)至其上而将半导体模具固定在引线框架上。而且,近年来,是使用如下倒装接合(flip bonding)方法:预先在基板的电极上或半导体模具的电极上形成焊料等的凸块(bump)(突起),使半导体模具反转,而在以电极位于基板侧(下侧)的方式利用筒夹(collet)进行保持的状态下对半导体模具进行加热而使凸块为熔融状态,另一方面,将吸附固定在接合台上的基板加热至200℃左右而使凸块为熔融状态,使各凸块彼此接触而进行金属结合,将半导体模具接合在基板上。如上所述,在接合装置中,有时需要在接合时将吸附固定在接合台上的基板加热至200℃左右的温度。
当将接合台加热至200℃左右时,接合台上方的空气会因接合台的热而被加热从而上升。于是,产生如下空气的循环,即,周围的冷空气进入至接合台上,被接合台的热所加热而再次上升。此时,在接合台的上方,由于因上升气流而温度不同的空气,即,密度不同的空气的混合而会产生热气。
另一方面,在接合装置中,对吸附固定在接合台上的基板的表面或安装在基板上的半导体模具的图像进行拍摄,并根据所拍摄的图像来检测基板的电极或半导体模具的电极的位置或者基板的接合位置,根据检测到的位置进行接合工具的位置控制。如前所述,当在接合台的上方产生热气时,热气会进入至对吸附固定在接合台上的基板或半导体模具的图像进行拍摄的摄像装置的视场中,从而产生图像位置的检测精度下降的问题。因此,已提出有对摄像装置的视场区域内喷附氮气或空气而将热气吹走,从而提高摄像装置的位置检测精度的方法(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2003-7759号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是,在如专利文献1所述的现有技术的喷附氮气或空气的方法中,存在需要大量的氮气的问题。而且,在打线接合装置中,是使放电电极与线前端之间产生放电,利用放电的热而在线的前端形成无空气焊球(free air ball),然而若喷附氮气或空气则无空气焊球的温度会急速下降,从而出现接合品质下降的问题。
因此,本发明的目的是在封装装置中,利用简单的构成来提高摄像器件的图像位置检测精度。
解决问题的技术手段
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造