[发明专利]处理陶瓷体的方法

说明书

本申请根据35U.S.C.§119，要求2014年12月11日提交的美国临时申请系列第62/090,407号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。

技术领域

以下说明书一般地涉及处理陶瓷体的方法，更具体地，涉及通过向陶瓷体施加势梯度(potential gradient)对陶瓷体进行处理的方法。

背景技术

已知通过使熔融玻璃流向包含陶瓷体的成形装置来制造玻璃片或玻璃带。还已知不希望使用含有明显杂质浓度的陶瓷材料用于作为玻璃片或玻璃带的制造的成形体。

发明内容

下面简要归纳本公开的内容，以便提供对详述部分所描述的一些示例性方面的基本理解。

根据第一个方面，在玻璃制造过程中处理陶瓷体的方法包括：在加热的同时，将熔融玻璃传递到陶瓷体，陶瓷体包括陶瓷相和粒间玻璃相，熔融玻璃与陶瓷体的表面接触。该方法还包括使陶瓷体与第一电极接触以及使熔融玻璃与第二电极接触。该方法还包括在第一电极和第二电极之间施加电场，以产生第一和第二电极之间的陶瓷体上的电势差，该电势差小于陶瓷相与粒间玻璃相的电解阈值。粒间玻璃相在施加的电场的驱动扩散下发生反混合，并且粒间玻璃相中的可移动阳离子在靠近第一和第二电极中的一个处富集。

在第一个方面的一个例子中，可移动阳离子从陶瓷体的表面扩散进入熔融玻璃中。在第一个方面的另一个例子中，可移动阳离子的富集发生在陶瓷体的块体内。在第一个方面的另一个例子中，陶瓷体包括锆石。

在第一个方面的另一个例子中，陶瓷体上的电势差等于或小于约1.8V。在另一个例子中，陶瓷体上的电势差约为0.2-1.8V。

在第一个方面的另一个例子中，在施加电场的过程中，陶瓷体的温度至少约1000℃。在第一个方面的另一个例子中，第一电极包含铂。在另一个例子中，第一电极还包含钇稳定化的氧化锆。在第一个方面的另一个例子中，第一电极包含金属氧化物。

在第一个方面的另一个例子中，第一电极和第二电极中的至少一个包含导电陶瓷和导电碳中的至少一种。在第一个方面的另一个例子中，施加电场包括一次或多次反转极性。在第一个方面的另一个例子中，陶瓷体包括一个或多个开口或孔。在第一个方面的另一个例子中，所述一个或多个开口或孔包括第一和第二电极中的一个。

第一个方面可单独提供，或者与上文所述的第一个方面的一个例子或任意组合例子进行结合。

根据第二个方面，对陶瓷体进行处理的方法包括：向陶瓷体的外表面施加多孔陶瓷层。陶瓷体包括陶瓷相和粒间玻璃相。该方法还包括向陶瓷体的外表面施加第一电极糊料层。该方法还包括向陶瓷体的外表面施加与第一电极糊料层间隔开的第二电极糊料层。该方法还包括对第一和第二糊料层进行烧结，以形成第一和第二电极。此外，该方法还包括对陶瓷体进行加热。该方法还包括在第一电极和第二电极之间施加电场，以产生第一和第二电极之间的陶瓷体上的电势差，该电势差小于陶瓷相与粒间玻璃相的电解阈值。粒间玻璃相在施加的电场的驱动扩散下发生反混合，并且粒间玻璃相中的可移动阳离子在多孔陶瓷层中富集。

在第二个方面的一个例子中，该方法还包括去除至少一部分的多孔陶瓷层。

在第二个方面的另一个例子中，将陶瓷体加热到大于或等于约1000℃的温度。

在第二个方面的另一个例子中，陶瓷体包括锆石。

在第二个方面的另一个例子中，第一电极与第二电极之间的电势差等于或小于约1.8V。在另一个例子中，第一电极与第二电极之间的电势差约为0.2-1.8V。

第二个方面可单独提供，或者与上文所述的第二个方面的一个例子或任意组合例子进行结合。

附图说明

参照附图，阅读以下详细描述，可以更好地理解本公开的这些方面、特征和优点以及其他的方面、特征和优点，其中：

图1的示意图显示包括成形装置的玻璃制造设备的一个例子；

图2的横截面放大透视图显示图1的成形装置沿线2-2的例子；

图3的放大示意图显示在势梯度(包括但不限于，浓度梯度、温度梯度、电势差、应力梯度或其组合)下，在图2的成形装置的区域3中，陶瓷体中的可移动阳离子的移动例子；

图4的示意图显示在电势差下，图3所示的陶瓷体的例子，其中，阴极和阳极附连到陶瓷体的相对侧；

图5的示意图显示图4的陶瓷体的例子，其中，阴极和阳极附连到陶瓷体的相同侧；