[发明专利]具有波限制结构的板波装置和制造方法

权利要求书

1.一种微机电系统导波装置，其包括：

单晶压电层，所述单晶压电层包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；

多个电极，其布置在所述单晶压电层中或所述单晶压电层上，并且被配置用于转换所述单晶压电层中的横向声波；以及

至少一个导波限制结构，其被布置成接近所述单晶压电层，并且被配置成将具有波长λ的横向激发波限制在所述单晶压电层中，其中所述至少一个导波限制结构中的每个导波限制结构包括小于5λ的厚度，并且所述至少一个导波限制结构包括具有在1λ至5λ范围内厚度的快波传播层；

其中所述至少一个导波限制结构包括接近所述第一表面的第一导波限制结构，并且包括接近所述第二表面的第二导波限制结构；并且

其中所述第一导波限制结构或所述第二导波限制结构中的一个包括所述快波传播层，并且所述第一导波限制结构或所述第二导波限制结构中的另一个包括布拉格反射镜。

2.根据权利要求1所述的微机电系统导波装置，其中所述单晶压电层包含铌酸锂或钽酸锂中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的微机电系统导波装置，其包括在所述单晶压电层与所述装置的至少一个下层之间的粘结界面。

4.根据权利要求3所述的微机电系统导波装置，其中所述至少一个下层包括以下中的至少一个：(i)所述至少一个导波限制结构中的导波限制结构，或(ii)布置在所述单晶压电层与所述至少一个导波限制结构中的导波限制结构之间的任选提供的慢波传播层。

5.根据权利要求1所述的微机电系统导波装置，其还包括布置在所述第一表面与所述第一导波限制结构之间的第一慢波传播层、以及布置在所述第二表面与所述第二导波限制结构之间的第二慢波传播层。

6.根据权利要求1所述的微机电系统导波装置，其还包括布置在所述单晶压电层与所述至少一个导波限制结构之间的至少一个慢波传播层。

7.根据权利要求6所述的微机电系统导波装置，其中所述至少一个慢波传播层包括与所述至少一个导波限制结构的每层厚度不同的厚度。

8.根据权利要求6所述的微机电系统导波装置，其中所述多个电极包括布置在所述至少一个慢波传播层中并且布置成与所述单晶压电层接触的多个电极。

9.根据权利要求1所述的微机电系统导波装置，其还包括至少部分地覆盖所述多个电极的至少一个功能层。

10.根据权利要求1所述的微机电系统导波装置，其中所述多个电极包括至少部分地嵌入所述单晶压电层中的叉指式换能器(IDT)。

11.根据权利要求1所述的微机电系统导波装置，其中：

所述单晶压电层包括第一厚度区和第二厚度区，其中所述第一厚度区的厚度与所述第二厚度区的厚度不同；以及

所述多个电极包括第一多个电极，其布置在所述第一厚度区上或邻近所述第一厚度区，并且被配置成用于在所述第一厚度区中转换具有波长λ₁的第一横向声波，并且包括第二多个电极，其布置在所述第二厚度区上或邻近所述第二厚度区，并且被配置用于在所述第二厚度区中转换具有波长λ₂的第二横向声波，其中λ₂与λ₁不同。

12.根据权利要求11所述的微机电系统导波装置，其中所述第一多个电极包括第一叉指式换能器，并且所述第二多个电极包括第二叉指式换能器。

13.根据权利要求12所述的微机电系统导波装置，其还包括在所述至少一个导波限制结构与所述单晶压电层的至少一部分之间的温度补偿层。