[发明专利]包括基质、磷光掺杂剂和荧光掺杂剂的有机发光装置

权利要求书

1.一种有机发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；以及

发光层，所述发光层布置在所述第一电极和所述第二电极之间且包括延迟荧光基质和掺杂剂，

其中，所述延迟荧光基质为相互结合以形成激基复合物的空穴传输性基质和电子传输性基质的组合，即激基复合物基质；

或者，所述延迟荧光基质是具有供电子基团(electron donating group：D)-连接基团(connecting group：C)-受电子基团(electron accepting group：A)形式(D-C-A形式)、D-C-A-C-D形式或A-C-D-C-A形式的延迟荧光有机化合物；

所述掺杂剂包括磷光掺杂剂和荧光掺杂剂二者，

其中，所述磷光掺杂剂的三重激发态能级高于所述荧光掺杂剂的单重激发态能级和所述荧光掺杂剂的三重激发态能级，并且

其中，所述延迟荧光基质的光致发光光谱与所述荧光掺杂剂的吸收光谱重叠，所述磷光掺杂剂的光致发光光谱与所述荧光掺杂剂的吸收光谱重叠。

2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述激基复合物基质的单重态激基复合物能级和三重态激基复合物能级的差异大于或等于0eV且小于0.3eV。

3.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述激基复合物基质的单重态激基复合物能级和三重态激基复合物能级高于所述荧光掺杂剂的单重激发态能级。

4.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，

所述空穴传输性基质的最低未占分子轨道比所述电子传输性基质的最低未占分子轨道高0.2eV以上但这两者之差在空穴传输性基质的带隙以下，

所述空穴传输性基质的最高占据分子轨道比所述电子传输性基质的最高占据分子轨道高0.2eV以上但这两者之差在空穴传输性基质的带隙以下。

5.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，在所述延迟荧光基质是激基复合物基质的情况下，所述空穴传输性基质与所述电子传输性基质的重量比为20：80至80：20。

6.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，在所述延迟荧光基质是所述延迟荧光有机化合物的情况下，所述延迟荧光有机化合物的单重激发态能级和所述延迟荧光有机化合物的三重激发态能级的差异大于或等于0eV且小于0.3eV。

7.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，在所述延迟荧光基质是所述延迟荧光有机化合物的情况下，所述延迟荧光有机化合物的单重激发态能级和所述延迟荧光有机化合物的三重激发态能级高于所述荧光掺杂剂的单重激发态能级。

8.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述激基复合物的单重激发态的能量或所述延迟荧光有机化合物的单重激发态的能量转移至所述荧光掺杂剂。

9.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述空穴传输性基质包括咔唑衍生物或芳族胺。

10.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述电子传输性基质包括缺π电子型的芳杂环。

11.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述电子传输性基质包括含膦氧化物基团的化合物、含硫氧化物基团的化合物、或三嗪衍生物。

12.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述磷光掺杂剂为过渡金属的络合物。

13.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述磷光掺杂剂为包含铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)的络合物。