[发明专利]对生长外延晶片的反应器的重操作进行准备的方法

权利要求书

1.一种作为反应室的重操作准备过程而用于对外延生长装置的重操作进行准备的方法，其中，在所述反应室中在晶片上进行外延生长，所述方法包括：

将基座置于预设的第一位置，其中在所述反应室内提供所述基座并且所述晶片被放置于所述基座上，并设置通过主阀引入氢气的流量以使得比通过狭缝阀引入氢气的流量大；以及

将所述基座移动到预设的第二位置，在所述基座保持在所述第二位置的同时，设置通过所述主阀引入的氢气量以使得所引入的氢气量比通过所述狭缝阀引入的氢气量小。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一位置设置为与所述基座外圆周上放置的预热环具有相同的高度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第二位置设置为低于所述第一位置。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述反应室内执行烘烤的过程中，所述基座在所述第一位置和所述第二位置之间周期性移动。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，当所述基座在所述第一位置和所述第二位置之间移动时，通过所述主阀和所述狭缝阀中的每个引入的氢气的流量发生改变。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述基座置于所述第一位置时，通过所述主阀引入的氢气的流量是约90slm，而通过所述狭缝阀引入的氢气的流量是约20slm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述基座置于所述第二位置时，通过所述主阀引入的氢气的流量是约5slm至约20slm，而通过所述狭缝阀引入的氢气的流量是约30slm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述反应室内执行烘烤的过程中，所述反应室的内部保持在均匀温度的阶段和所述反应室的内部变化到预定温度的阶段是反复的。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述反应室内执行烘烤的过程中，所述反应室的内部温度升高并最长保持300秒的过程和所述反应室的内部温度变化最长60秒的过程是反复执行的。

10.一种作为反应室的重操作准备过程而对外延生长装置的重操作进行准备的方法，其中，在所述反应室中在晶片上进行外延生长，所述方法包括：

将氮气注入具有室温的所述室中，持续约三小时，以清理所述反应室中的杂质颗粒；

将所述反应室的内部升高到预定温度；

在温度升高后的所述反应室在预定时间内保持高温的同时使用氢气执行烘烤过程；

确认所述反应室中是否存在掺杂物；以及

去除所述反应室中残留的金属污染源，

其中，在所述反应室内执行所述烘烤过程时，基座周期性下降预定距离到执行外延过程的位置，而且当所述基座下降时，设置通过主阀引入的气体的流量使得该气体的流量小于通过狭缝阀引入的气体的流量。