[发明专利]衬底处理装置、加热器及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201580076770.7 | 申请日: | 2015-02-25 |
公开(公告)号: | CN107408505B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 村田等;八幡橘;和田优一;山口天和;西堂周平 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/46;H01L21/318 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 加热器 半导体器件 制造 方法 | ||
缩短处理炉内的温度稳定时间。解决手段为具有:保持衬底的衬底保持件;处理室,对保持于衬底保持件的衬底进行处理;第一加热器,从处理室外加热处理室内;和第二加热器,以位于衬底保持件内的方式设置,并从衬底的背面侧加热衬底,第二加热器具有支柱部;环状部,其连接于支柱部,形成为直径比衬底的直径小的圆弧状;一对连接部,其将环状部的各个端部连接于支柱部,和设置于环状部的内部的发热体。
技术领域
本发明涉及衬底处理装置、加热器及半导体器件的制造方法。
背景技术
在半导体器件(Device)的制造工序中的衬底的热处理中,例如使用纵型衬底处理装置。在纵型衬底处理装置中,将规定张数的衬底层叠并保持于衬底保持件,将衬底保持件装入处理室内,在通过设置于处理室外周的侧部加热器对衬底加热的状态下向处理室内导入处理气体从而进行所要的处理。
作为上述这种纵型衬底处理装置,存在如下技术:在放热量大的处理室的下部设置辅助加热用的面状副加热器从而在短时间内确保处理室整体的温度的恢复和稳定,由此实现衬底的处理时间的缩短。
发明内容
发明要解决的问题
然而,在设置了如上所述的副加热器的情况下,衬底的外周将会被侧部加热器和副加热器这两者的加热器加热。因此,在处理室的温度上升过程中,衬底的温度分布有时变得不均匀,恢复时间(recovery time)(温度稳定时间)有时变长。
本发明的目的在于,提供能够缩短处理炉内的温度稳定时间的技术。
用于解决问题的手段
根据本发明的一个方式,提供一种技术,具有:
保持衬底的衬底保持件,
处理室,对保持于所述衬底保持件的所述衬底进行处理,
第一加热器,从所述处理室外加热所述处理室内,和
第二加热器,以位于所述衬底保持件内的方式设置,并从所述衬底的背面侧加热所述衬底,
所述第二加热器具备,
支柱部,
环状部,其连接于所述支柱部、且形成为直径比所述衬底的直径小的圆弧状,
一对连接部,其将所述环状部的各个的端部连接于所述支柱部,和
在所述环状部的内部设置的发热体。
发明效果
根据本发明,能够缩短处理炉内的温度稳定时间。
附图说明
图1是本发明的实施方式中合适地使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图,是将处理炉部分以纵剖面图表示的图。
图2是表示本发明的实施方式中合适地使用的衬底处理装置的副加热器及其周边部的前视剖面图。
图3是表示本发明的实施方式中合适地使用的衬底处理装置的副加热器及其周边部的立体图。
图4是本发明的实施方式中合适地使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图,是将控制器的控制系统以框图表示的图。
图5是表示用以往的面状加热器加热底部区域整个区域的情况下的温度分布的说明图。
图6是表示改变副加热器的加热位置的情况下的最下层的衬底的面内温度的最大温差的比较的曲线图。
图7是表示改变副加热器的加热位置的情况下的最下层的衬底的面内温度分布的比较的曲线图。
图8是表示利用本发明的实施方式涉及的副加热器来加热衬底的半径的大致中间部的底部区域的情况下的温度分布的说明图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造