[发明专利]包含堆叠式存储器阵列的构造

说明书

一些实施例包括一种具有第一存储器阵列层叠及在第一存储器阵列层叠上方的第二存储器阵列层叠的构造。第二存储器阵列层叠与第一存储器阵列层叠在一或多个操作特性、在间距及/或在一或多个结构参数方面不同；其中结构参数包括不同材料及/或材料的不同厚度。一些实施例包括一种具有沿着第一方向延伸的第一系列及第三系列的存取/感测线及在第一系列与第三系列之间沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的第二系列的存取/感测线的构造。第一存储器单元是在第一系列的存取/感测线与第二系列的存取/感测线之间且布置成第一存储器阵列层叠。第二存储器单元是在第二系列的存取/感测线与第三系列的存取/感测线之间且布置成第二存储器阵列层叠。

技术领域

包含堆叠式存储器阵列的构造。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路且在系统中用于存储数据。通常在个别存储器单元的一或多个阵列中制造存储器。存储器单元经配置以将信息留存或存储于至少两个不同可选择状态中。在二进制系统中，将状态视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储两个以上电平或状态的信息。

集成电路制造继续努力产生更小且更密集的集成电路。因此，对三维交叉点存储器存在极大兴趣。实例三维交叉点存储器单元可利用相变材料(例如，硫属化物)作为适合于存储存储器位的双态材料。

可期望开发经改进的存储器阵列及形成存储器阵列的经改进的方法。

附图说明

图1、1A及1B是实例实施例构造的部分的俯视图及横截面侧视图。图1A及1B分别是沿着图1的线1A-1A及1B-1B。

图2是相对于实例存储器层布置的实例电流的图解示意图。

图3到5是实例存储器阵列层叠(deck)堆叠布置的图解说明。

图6A及6B是实例实施例构造的部分的横截面侧视图。

图7是实例实施例构造的部分的横截面侧视图。

图8是实例实施例构造的部分的横截面侧视图。

具体实施方式

一些实施例包括其中垂直堆叠两个或两个以上存储器阵列层叠的构造。堆叠式层叠中的一或多者经配置以具有相对于堆叠式层叠的其它者的不同操作特性。举例来说，层叠中的一或多者可经配置以具有适合用于XIP(原地执行)应用及/或动态随机存取存储器(DRAM)仿真应用中的快速存取时间，且层叠中的一或多个其它者可经配置以具有适合用于长期存储应用中的稳定、可能较慢存取的存储。此外，层叠中的一或多者可经配置以具有大于层叠的其它者的耐久性。举例来说，层叠中的一或多者可适合于大约100,000个循环的寿命，而层叠中的一或多个其它者可适合于约1,000,000个循环(换句话来说，层叠中的至少一者可具有比层叠中的另一者多至少约10倍的循环时间的持久性)。层叠的耐久性之间的差异可由层叠之间的结构差异引起。举例来说，相对于具有较少耐久性的层叠，具有较高耐久性的层叠可具有减小的热干扰及/或其它存储器损耗机构。然而，相对于具有较高耐久性的层叠，具有较少耐久性的层叠可具有其它优点(例如，较快存取时间等)。因此，可针对相对于特定存储器功能的应用性定制每一存储器阵列层叠。

下文参考图1到8描述实例实施例。

参考图1、1A及1B，在俯视图(图1)及横截面侧视图(图1A及1B)中展示构造10以说明实例架构。接近图1的俯视图展示轴系统，其中此系统说明x轴及正交y轴。图1A的横截面视图是沿着x轴，且图1B的横截面视图是沿着y轴。