[发明专利]用于光学干涉计的镜板及光学干涉计有效
| 申请号： | 201580077176.X | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107250741B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | A.瓦普拉;C.霍姆伦德;A.里斯桑恩 | 申请（专利权）人： | 芬兰国家技术研究中心股份公司 |
| 主分类号： | G01J3/26 | 分类号： | G01J3/26;G02B26/00;G02B5/28;G02B5/08;B81B7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 肖日松;傅永霄 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 去耦结构 电极 第一传感器 光学干涉 镜板 半透明反射 第二传感器 电绝缘层 稳定电极 法布里 干涉 | ||
1.一种用于法布里-珀罗干涉计(300)的镜板(100)，所述镜板(100)包括：
-基底(50)，其包括硅(Si)，
-在所述基底(50)上实施的半透明反射涂层(110)，
-在所述基底(50)上形成的去耦结构(DC1)，
-在所述去耦结构(DC1)之上形成的第一传感器电极(G1a)，以及
-第二传感器电极(G1b)，
其中所述去耦结构(DC1)包括电绝缘层(60a)，其特征在于，所述去耦结构(DC1)还包括位于所述第一传感器电极(G1a)与所述基底(50)之间的第一稳定电极(G0a)。
2.根据权利要求1所述的镜板(100)，其特征在于，所述镜板还包括第二去耦结构(DC2)，其中所述第二去耦结构(DC2)包括电绝缘层(60b)，以及第二稳定电极(G0b)，其位于所述第二传感器电极(G1b)与所述基底(50)之间。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的镜板(100)，其特征在于，所述第一稳定电极(G0a)的尺寸选择成使得在所述基底(50)的温度变化1℃时，所述第一传感器电极(G1a)与所述第二传感器电极(G1b)之间的电抗(XPAR)的热引起的变化(△XPAR)小于基准值XREF的0.1%，其中所述电抗(XPAR)在10kHz的频率下确定，且所述基准值XREF根据以下公式计算：
其中ε表示真空的介电常数，且A表示所述第一传感器电极(G1a)的面积。
4.一种用于生产用于法布里-珀罗干涉计(300)的镜板(100)的方法，所述方法包括：
-提供基底(50)，其包括硅(Si)，
-在所述基底(50)上实施半透明反射涂层(110)，
-在所述基底(50)上形成去耦结构(DC1)，
-在所述去耦结构(DC1)之上形成第一传感器电极(G1a)，以及
-形成由所述基底(50)支撑的第二传感器电极(G1b)，
其中所述去耦结构(DC1)包括电绝缘层(60a)，其特征在于，所述去耦结构(DC1)还包括位于所述第一传感器电极(G1a)与所述基底(50)之间的第一稳定电极(G0a)。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法包括：
-在所述基底(50)上形成所述第一稳定电极(G0a)，
-在所述第一稳定电极(G0a)上形成二氧化硅(SiO2)的层(60a)，以及
-在二氧化硅(SiO2)的所述层(60a)之上形成所述第一传感器电极(G1a)。
6.根据权利要求4或权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一稳定电极(G0a)的尺寸选择成使得在所述基底(50)的温度变化1℃时，所述第一传感器电极(G1a)与所述第二传感器电极(G1b)之间的电抗(XPAR)的热引起的变化(△XPAR)小于基准值XREF的0.1%，其中所述电抗(XPAR)在10kHz的频率下确定，且所述基准值XREF根据以下公式计算：
其中ε表示真空的介电常数，且A表示所述第一传感器电极(G1a)的面积。
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