[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

第1电极，沿第1方向延伸；

第2电极，在与所述第1方向交叉的第2方向与所述第1电极相邻，且所述第2电极沿所述第1方向延伸；

第1柱，设置在所述第1电极与所述第2电极之间，且沿与所述第1方向和所述第2方向交叉的第3方向延伸；

第1绝缘层，包括：设置在所述第1电极和所述第1柱之间的第1绝缘层部分，以及设置在所述第2电极和所述第1柱之间的第2绝缘层部分；

第3电极，设置在所述第1电极和所述第1绝缘层部分之间，且所述第3电极与所述第1柱隔开；

第4电极，设置在所述第2电极和所述第2绝缘层部分之间，且所述第4电极与所述第1柱隔开；

第2绝缘层，包括：第1部分、第2部分以及第3部分，所述第1部分设置在所述第1电极与所述第3电极之间，所述第1部分在所述第2方向与所述第3电极接触，所述第2部分在所述第1方向与所述第3电极的一个端部接触，且所述第3部分在所述第1方向与所述第3电极的另一个端部接触；

第3绝缘层，包括第4部分、第5部分以及第6部分，所述第4部分设置在所述第2电极与所述第4电极之间，所述第4部分在所述第2方向与所述第4电极接触，所述第5部分在所述第1方向与所述第4电极的一个端部接触，且所述第6部分在所述第1方向与所述第4电极的另一个端部接触；以及

第4绝缘层，设置在所述第2部分与所述第5部分之间；且

所述第3电极仅在所述第3方向连接到所述第1绝缘层部分和所述第1部分。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还包括：

第2柱，在所述第1方向与所述第1柱相邻，所述第2柱设置在所述第1电极和所述第2电极之间，且沿所述第3方向延伸；且

所述第4绝缘层还设置在所述第1柱和所述第2柱之间。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于还包括：

第5绝缘层，包括：设置在所述第1电极和所述第2柱之间的第4绝缘层部分，以及设置在所述第2电极和所述第2柱之间的第5绝缘层部分；

第5电极，设置在所述第1电极和所述第4绝缘层部分之间；

第6电极，设置在所述第2电极和所述第5绝缘层部分之间；

第6绝缘层，设置在所述第1电极和所述第5电极之间，在所述第1方向与所述第5电极的一个端部接触，且在所述第1方向与所述第5电极的另一个端部接触；以及

第7绝缘层，设置在所述第2电极和所述第6电极之间，在所述第1方向与所述第6电极的一个端部接触，且在所述第1方向与所述第6电极的另一个端部接触。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于还包括：

在所述第2柱和所述第1电极之间的第3存储单元，用于存储第3信息；以及

在所述第2柱和所述第2电极之间的第4存储单元，用于存储第4信息。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还包括：

在所述第1柱和所述第1电极之间的第1存储单元，用于存储第1信息；以及

在所述第1柱和所述第2电极之间的第2存储单元，用于存储第2信息。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第2部分在所述第1方向上的第1长度比所述第4绝缘层在所述第1方向上的第2长度短。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1绝缘层还包括设置在所述第4绝缘层和所述第1柱之间的第3绝缘层部分。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第3电极和所述第4电极是导电性的。

9.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1绝缘层部分、所述第2绝缘层部分和所述第3绝缘层部分被连接以包围所述第1柱。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第4电极仅在所述第3方向上连接到所述第2绝缘层部分和所述第4部分。