[发明专利]静电吸盘以及晶片处理装置

权利要求书

1.一种静电吸盘，具备：

多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面、设置在周端部且形成所述第1主面的一部分的密封环；

及电极层，设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间，呈一体地烧结于所述陶瓷电介体基板，其特征为，

所述电极层包含相互离开配设的多个电极要素，

在与所述第1主面正交的方向上观察时，所述陶瓷电介体基板的外周被加工成所述陶瓷电介体基板的外周与所述电极层的外周的间隔均匀，

在所述方向上观察时，所述电极层的外周与所述陶瓷电介体基板的外周的间隔小于所述多个电极要素的间隔，

所述密封环的宽度为0.3毫米以上、3毫米以下，

在所述方向上观察时，所述电极层与所述密封环发生重复的宽度为2毫米以下，所述电极层与所述密封环不重复而分离的距离为0.7毫米以下。

2.一种静电吸盘，具备：

多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面、设置在周端部且形成所述第1主面的一部分的密封环；

及电极层，设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间，呈一体地烧结于所述陶瓷电介体基板，其特征为，

在与所述第1主面正交的方向上观察时，所述陶瓷电介体基板的外周被加工成所述陶瓷电介体基板的外周与所述电极层的外周的间隔均匀，

在从所述陶瓷电介体基板的中央向外周方向延伸的第1假想线上，所述电极层的外周与所述陶瓷电介体基板的外周的间隔与在其它的假想线上的间隔之间的相互误差为200微米以下，

所述密封环的宽度为0.3毫米以上、3毫米以下，

在与所述第1主面正交的方向上观察时，所述电极层与所述密封环发生重复的宽度为2毫米以下，所述电极层与所述密封环不重复而分离的距离为0.7毫米以下。

3.一种静电吸盘，具备：

多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面、设置在周端部且形成所述第1主面的一部分的密封环；

及电极层，设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间，呈一体地烧结于所述陶瓷电介体基板，其特征为，

在与所述第1主面正交的方向上观察时，所述陶瓷电介体基板的外周被加工成所述陶瓷电介体基板的外周与所述电极层的外周的间隔均匀，

在从所述陶瓷电介体基板的中央向外周方向延伸的第1假想线上，将所述电极层的外周与所述陶瓷电介体基板的外周的间隔作为间隔X1，在从所述陶瓷电介体基板的中央向外周方向延伸的假想线且向所述第1假想线的相反侧延伸的第2假想线上，将所述电极层的外周与所述陶瓷电介体基板的外周的间隔作为间隔X2，将在所述电极层的外周上的外径作为外径X5，此时|X1-X2|/X5为0％以上、0.07％以下，

所述密封环的宽度为0.3毫米以上、3毫米以下，

在与所述第1主面正交的方向上观察时，所述电极层与所述密封环发生重复的宽度为2毫米以下，所述电极层与所述密封环不重复而分离的距离为0.7毫米以下。

4.一种静电吸盘，具备：

多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面、设置在周端部且形成所述第1主面的一部分的密封环；

及电极层，设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间，呈一体地烧结于所述陶瓷电介体基板，其特征为，

在与所述第1主面正交的方向上观察时，所述陶瓷电介体基板的外周被加工成所述陶瓷电介体基板的外周与所述电极层的外周的间隔均匀，

在从所述陶瓷电介体基板的中央向外周方向延伸的第1假想线上，所述电极层的外周与所述陶瓷电介体基板的外周的间隔为2毫米以下，

所述电极层的外周与所述陶瓷电介体基板的外周的间隔与在其它的假想线上的间隔之间的相互误差为200微米以下，

关于所述密封环的内周侧端部与所述电极层的外周端部之间的直线距离，在Z方向观察时，所述密封环的内周侧端部更靠外侧的距离为2毫米以下，在Z方向观察时，所述密封环的内周侧端部更靠内侧的距离为2毫米以下。