[发明专利]一种锥形波导及硅基芯片有效
申请号: | 201580077733.8 | 申请日: | 2015-06-05 |
公开(公告)号: | CN107924024B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 赵飞;李明 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/122;G02B6/30 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 冯艳莲 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锥形 波导 芯片 | ||
1.一种锥形波导,包括等宽的中心波导以及设置在所述中心波导两侧的浅刻蚀条波导,其特征在于,每个浅刻蚀条波导为宽度渐变的结构,所述浅刻蚀条波导沿其长度方向的远离所述中心波导的一侧的外形线为内凹弧形,所述中心波导的高度高于所述浅刻蚀条波导的高度;
所述浅刻蚀条波导较宽部分的长度小于浅刻蚀条波导较窄部分的长度。
2.如权利要求1所述的锥形波导,其特征在于,所述浅刻蚀条波导宽度随长度变化关系满足锥形波导的有效折射率随长度均匀变化的规律。
3.如权利要求1所述的锥形波导,其特征在于,所述浅刻蚀条波导宽度随长度变化关系满足抛物线方程。
4.如权利要求1所述的锥形波导,其特征在于,所述浅刻蚀条波导的宽度随长度变化关系满足椭圆方程。
5.如权利要求1~4任一项所述的锥形波导,其特征在于,还包括承载所述中心波导及浅刻蚀条波导的衬底,以及包裹所述中心波导及浅刻蚀条波导的包覆层,且所述衬底和包覆层各自的折射率均低于所述中心波导及浅刻蚀条波导的折射率。
6.如权利要求5所述的锥形波导,其特征在于,所述中心波导及浅刻蚀条波导由聚合物或半导体材料制作而成。
7.如权利要求6所述的锥形波导,其特征在于,所述中心波导及浅刻蚀条波导由硅或氮化硅材料制作而成。
8.如权利要求5所述的锥形波导,其特征在于,所述衬底和包覆层由二氧化硅、氮化硅、掺杂硼、磷或锗的玻璃材料制作而成。
9.一种硅基芯片,其特征在于,包括如权利要求1~8任一项所述的锥形波导。
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