[发明专利]半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带和半导体晶片的磨削加工方法

说明书

一种半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带和使用了该胶带的半导体晶片的磨削加工方法，该胶带为设置基材并在该基材的一个面侧设置粘合剂层而成的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，该基材的未形成粘合剂层的面的表面粗糙度为Rz＝0.7μm～5.0μm，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带在波长500nm～600nm的全光线透过率为40％～80％，镜面晶片的色差(ΔEM)与将该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带贴合于该镜面晶片的状态下的色差(ΔET)之差为ΔET－ΔEM＞6.5，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带被贴合于具有缺口的半导体晶片的表面。

技术领域

本发明涉及在半导体器件的加工中所用的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，特别是适合在半导体晶片的背面磨削时使用的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带和使用了该胶带的半导体晶片的加工方法。

背景技术

在半导体晶片的加工工序中，背面磨削、研磨用于在半导体晶片表面形成图案后，使半导体晶片背面成为特定的厚度。此时，为了保护半导体晶片表面免受磨削时的应力等或使磨削加工容易，将半导体加工用表面保护胶带贴合于半导体晶片表面，在该状态下对半导体晶片背面进行磨削。作为半导体加工用表面保护胶带，例如有在乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等聚烯烃基材树脂膜上设有以丙烯酸聚合物为主要成分的粘合剂层的胶带(例如，参见专利文献1)。

通常，上述半导体晶片通过背面磨削而薄膜化至特定的厚度后，将预先在基材上层积有粘合剂与粘接剂(固晶用的粘接片)的切晶-固晶片贴合于半导体晶片背面(磨削面)，利用环形框将其固定于切晶机的工作盘，通过利用切晶刀片而切断的切晶工序，与半导体晶片一起被切断从而进行芯片化。然后，将多个芯片层积，在基板、芯片间连接导线后利用树脂进行封装，从而成为产品(例如，参见专利文献2)。在上述切晶-固晶片贴合时，为在半导体晶片表面贴合有半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带的状态下直接吸附于工作盘的状态，在贴合切晶-固晶片后，将半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带剥离。另外，为了使上述切晶-固晶片与半导体晶片密合，在切晶-固晶片的贴合时，近年来有时在更高温度(约80℃)进行加热。

另外，对于贴合于半导体晶片表面的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带来说，通常为了贴合识别而会被着色。作为着色的方法，有对基材膜着色的方法和对粘合剂着色的方法，但从对半导体晶片产生表面污染的方面考虑，通常对不直接接触半导体晶片的基材膜进行着色。

随着近年来高密度安装技术的进步，需要使半导体芯片小型化，半导体晶片的薄膜化发展显著。根据半导体芯片的种类的不同，需要使半导体晶片薄至100μm左右。而且，为了增加可通过一次性加工所制造的半导体芯片的数量，半导体晶片的直径也有大径化的倾向。此前直径为5英寸或6英寸的半导体晶片为主流，与此相对，近年来将直径8英寸～12英寸的半导体晶片加工成半导体芯片成为了主流。通过使半导体晶片的直径大径化，可提高一次性加工的收率，削减制造成本。

随着这种半导体晶片的直径的大径化，半导体晶片的形状也不断发生变化。在直径为5英寸或6英寸的半导体晶片为主流的情况下，在半导体晶片8存在被称为定向平面(参照下述图3)的大切口7，与此相对，为了进一步提高收率，在直径8英寸以上的半导体晶片5的情况下，具有被称为缺口(参照下述图2)的小切口6的情况成为主流。但是，随着这种变化，此前容易进行的半导体晶片位置的读取逐渐变得困难。进而，在具有定向平面的半导体晶片中，在定向平面7的外侧未贴合半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，与此相对，在具有缺口的半导体晶片中，则覆盖缺口6而贴合有半导体晶片的背面磨削加工用表面保护带。因此，半导体晶片的背面磨削加工用表面保护带的颜色会对传感器辨识性产生严重影响。

如上所述，为了提高传感器辨识性，进行色调的调整等以进行应对。但是，随着半导体晶片的薄膜化会产生更多问题。随着半导体晶片的薄膜化，半导体晶片的翘曲变大，有时会因翘曲而导致缺口不能通过传感器部分，从而传感器无法辨识。另外，还会产生因灰尘附着于基材面而无法检测出缺口等问题。

现有技术文献