[发明专利]从多晶金刚石中电化学去除金属或其他物质

权利要求书

1.一种用于从PCD元件中电化学去除金属或其他物质的系统，所述系统包括：

阳极，其包括所述PCD元件，所述PCD元件包括包含所述金属或所述其他物质和导电性增强部分的PCD部件；

阴极；

电解液；以及

电压源，

其中所述导电性增强区域包含键合到所述PCD元件表面上的碳(C)的氢(H)或氟(F)或其组合，并且其中所述导电性是p型；并且

其中，当通过所述电压源将电压施加到所述阳极和所述阴极时，所述金属或所述其他物质形成正离子并且从所述PCD部件中去除到所述电解液。

2.一种用于从PCD元件中电化学去除金属或其他物质的系统，所述系统包括：

阳极，其包括所述PCD元件，所述PCD元件包括包含所述金属或所述其他物质和导电性增强部分的PCD部件；

阴极；

电解液；以及

电压源，

其中所述导电性增强区域包含硼(B)、铝(Al)、磷(P)或锂(Li)或其组合作为掺杂剂，并且其中所述导电性产生自掺杂；并且

其中，当通过所述电压源将电压施加到所述阳极和所述阴极时，所述金属或所述其他物质形成正离子并且从所述PCD部件中去除到所述电解液。

3.如权利要求1或2所述的系统，其中所述金属包括第VIII族金属。

4.如权利要求3所述的系统，其中所述第VIII族金属包括钴(Co)。

5.如权利要求1或2所述的系统，其中所述导电性增强部分包括所述PCD部件的表面的至少一部分。

6.如权利要求5所述的系统，其中所述导电性增强部分包括所述PCD部件的顶表面的至少一部分。

7.如权利要求5所述的系统，其中所述导电性增强部分包括所述PCD部件的侧表面的至少一部分。

8.如权利要求5所述的系统，其中所述导电性增强部分包括所述PCD部件的顶表面的至少一部分、侧表面的至少一部分以及底表面的至少一部分。

9.如权利要求1或2所述的系统，其中所述导电性增强部分包括基本上全部的所述PCD部件。

10.如权利要求1或2所述的系统，其中所述电解液是包含硫酸根(SO₄^2-)、氯离子(Cl^-)或硝酸根(NO₃^-)或其组合的水性电解液。

11.如权利要求1或2所述的系统，其中所述金属包括钴(Co)，并且所述电解液包含铁(Fe)。

12.如权利要求1或2所述的系统，其中至少两种金属或其他物质形成正离子并且从所述PCD部件中去除到所述电解液。

13.如权利要求1所述的系统，其中所述氢(H)或氟(F)或其组合是等离子体沉积的。

14.如权利要求1所述的系统，其中使用高温退火过程沉积所述氢(H)或氟(F)或其组合。

15.如权利要求2所述的系统，其中使用高剂量离子注入将所述硼(B)、铝(Al)或磷(P)或其组合注入所述PCD部件的表面中。

16.如权利要求2所述的系统，其中在形成所述PCD部件之前，将所述硼(B)、铝(Al)、磷(P)或锂(Li)或其组合添加到所述PCD部件中含有的金刚石晶粒。