[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201580078318.4 | 申请日: | 2015-06-19 |
公开(公告)号: | CN107408533B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 前田敏;森下泰之;田中正德 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于,具备:
与第一焊盘连接的第一输入输出电路;
相对于所述第一输入输出电路配置在沿着芯片端部所构成的一条边的方向上且与第二焊盘连接的第二输入输出电路;和
配置在所述第一输入输出电路及所述第二输入输出电路的外侧的所述芯片端部附近的第一ESD保护电路,
所述第一ESD保护电路具备第一电阻、第一电容、第一反相器、和第一N沟道晶体管。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,具备:
与第一电源焊盘连接的第一电源布线;和
与第一接地焊盘连接的第一接地布线。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,
所述第一输入输出电路及所述第二输入输出电路分别具备:阳极与信号布线连接且阴极与第一电源布线连接的第一二极管;阳极与第一接地布线连接且阴极与所述信号布线连接的第二二极管;和与所述信号布线连接的输出电路或输入电路。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,
所述第一电阻的一端与所述第一电源布线连接,
所述第一电阻的另一端与所述第一电容的一端连接,
所述第一电容的另一端与所述第一接地布线连接,
所述第一电阻的另一端与第一反相器的输入端连接,
所述第一反相器的输出端与第一N沟道晶体管的栅电极连接,
所述第一N沟道晶体管在所述第一电源布线与所述第一接地布线之间构成电流路径。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,
具备第三二极管,其配置在所述第一输入输出电路与所述第二输入输出电路之间,所述第三二极管的阳极与所述第一接地布线连接且阴极与所述第一电源布线连接。
6.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,
具备相对于所述第一ESD保护电路配置在沿着所述一条边的方向上的第二ESD保护电路,
所述第二ESD保护电路具备:一端与所述第一电源布线连接的第二电阻;一端与所述第二电阻的另一端连接且另一端与所述第一接地布线连接的第二电容;以所述第二电阻的另一端为输入的第二反相器;以及栅电极与所述第二反相器的输出端连接且在所述第一电源布线与所述第一接地布线之间构成电流路径的第二N沟道晶体管。
7.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,
具备相对于所述第一ESD保护电路配置在沿着所述一条边的方向上的第三ESD保护电路,
所述第三ESD保护电路具备:以所述第一电阻的另一端为输入的第三反相器;和栅电极与所述第三反相器的输出端连接且在所述第一电源布线与所述第一接地布线之间构成电流路径的第三N沟道晶体管。
8.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,
所述第一焊盘以在俯视下与形成有所述第一输入输出电路的区域重叠的方式配置,
所述第二焊盘以在俯视下与形成有所述第二输入输出电路的区域重叠的方式配置。
9.根据权利要求8所述的半导体器件,其特征在于,
所述第一焊盘以在俯视下与形成有所述第一输入输出电路的区域及形成有所述第二输入输出电路的区域重叠的方式配置,
所述第二焊盘以在俯视下与形成有所述第二输入输出电路的区域及形成有所述第一输入输出电路的区域重叠的方式配置。
10.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,
所述第一焊盘在俯视下与形成有所述第一ESD保护电路的区域相比配置于靠近所述一条边的那一侧,
所述第二焊盘在俯视下与形成有所述第一ESD保护电路的区域相比配置于靠近所述一条边的那一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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