[发明专利]可调节缓冲电路

权利要求书

1.一种共模逻辑缓冲装置，包括：

包括第一输入和第二输入的差分输入信号对(116、118)；

包括第一输出和第二输出的差分输出信号对(120、122)；

电流源(112)；

参考电压(102)；

第一金属氧化物半导体晶体管对(110)，包括：

第一金属氧化物半导体晶体管(222)，其具有连接至所述第一输入的栅极并且串联在所述电流源和所述第一输出之间，以及

第二金属氧化物半导体晶体管(224)，其具有连接至所述第二输入的栅极并且串联在所述电流源和所述第二输出之间；

第二金属氧化物半导体晶体管对(106)，包括：

串联在所述参考电压和所述第一输出之间的第三金属氧化物半导体晶体管(206)，以及

串联在所述参考电压和所述第二输出之间的第四金属氧化物半导

体晶体管(208)；

第一调整电路(104)，其被配置成：响应于控制信号，调整所述第一输出和所述第三金属氧化物半导体晶体管的栅极之间的第一电阻值；和

第二调整电路(108)，其被配置成：响应于所述控制信号，调整所述第二输出和所述第四金属氧化物半导体晶体管的栅极之间的第二电阻值，

其中所述第一调整电路还被配置成：响应于所述控制信号，调整在所述第三金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述参考电压之间的第一电容值；

其中所述第二调整电路还被配置成：响应于所述控制信号，调整在所述第四金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述参考电压之间的第二电容值。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一调整电路(104)和第二调整电路(108)每一个均包括各自的一组电阻器(210和212，214和216)和至少一个各自的旁路开关(218、220)，所述至少一个旁路开关与所述一组电阻器中的一个电阻器并联。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述共模逻辑缓冲装置具有根据所述第一电阻值和所述第二电阻值而变化的输入输出传递函数。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述输入输出传递函数的变化对应于所述输入输出传递函数的极点的变化。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体晶体管对的晶体管(206、208)的每一个均被配置成作为有源电感器。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置被配置成操作作为具有电感峰值的共模逻辑缓冲电路。

7.一种用于使用共模逻辑缓冲电路的方法，所述方法包括：

在第一金属氧化物半导体晶体管对(110)的栅极之间施加(702)差分输入电压(116、118)；

使用所述第一金属氧化物半导体晶体管对在两个输出路径之间产生(704)差分电流；

将所述差分电流施加到(706)第二金属氧化物半导体晶体管对(106)，所述第二金属氧化物半导体晶体管对连接至调整电路(104、108)，并且被配置成：使用具有在第一频率上的极点的第一传递函数以提供来自所述差分输入电压的输出信号；和

通过响应于由所述调整电路接收的控制信号来调整在所述第二金属氧化物半导体晶体管对的栅极与连接至所述第二金属氧化物半导体晶体管对的参考电压之间的电容值，从而响应于所述控制信号，将所述极点改变(714)为与所述第一频率不同的第二频率。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：确定(710)作为输入被施加到所述共模逻辑缓冲电路的信号的操作频率。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述极点的改变(714)响应于操作频率的确定。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，响应于由所述调整电路接收的所述控制信号将所述极点改变(714)为所述第二频率的步骤包括：调整所述共模逻辑缓冲电路的电阻值。