[发明专利]用于X射线萤光的检测器有效
申请号: | 201580080012.2 | 申请日: | 2015-06-10 |
公开(公告)号: | CN107615095B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 曹培炎;刘雨润 | 申请(专利权)人: | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
主分类号: | G01T1/16 | 分类号: | G01T1/16 |
代理公司: | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人: | 罗水江 |
地址: | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 射线 萤光 检测器 | ||
1.一种检测器,其包括:
多个像素,每个像素配置成在一段时间内对其上入射的、能量落在多个仓中的X射线光子的数目计数;并且
其中,所述检测器配置成将所有像素的落入具有相同能量范围的仓中的X射线光子的数目求和。
2.如权利要求第1所述的检测器,其进一步配置成将添加的数目编制成为所述检测器上入射的X射线光子的光谱。
3.如权利要求第1所述的检测器,其中所述多个像素采用阵列设置。
4.如权利要求第1所述的检测器,其中所述像素配置成在相同时段内对X射线光子的数目计数。
5.如权利要求第1所述的检测器,其中所述像素中的每个包括模数转换器(ADC),其配置成使代表入射X射线光子能量的模拟信号数字化为数字信号。
6.如权利要求第1所述的检测器,其中所述像素配置成平行作业。
7.如权利要求第1所述的检测器,其中所述像素中的每个配置成测量它的暗电流。
8.如权利要求第7所述的检测器,其中所述像素中的每个配置成在每个X射线光子入射在其上之前或与之并发地测量它的暗电流。
9.如权利要求第7所述的检测器,其中所述像素中的每个配置成从其上入射的X射线光子的能量减去所述暗电流的贡献。
10.如权利要求第7所述的检测器,其中所述像素中的每个配置成通过测量电压增加阈值所花的时间来测量它的暗电流。
11.如权利要求第5所述的检测器,其中所述ADC是逐次逼近寄存器(SAR)ADC。
12.如权利要求第1所述的检测器,其进一步包括:
X射线吸收层,其包括电触点;
第一电压比较器,其配置成将所述电触点的电压与第一阈值比较;
第二电压比较器,其配置成将所述电压与第二阈值比较;
控制器;
多个计数器,每个与仓关联并且配置成记录像素中的每个所吸收的X射线光子的数目,其中所述X射线光子的能量落在仓中;
其中所述控制器配置成从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超出所述第一阈值的绝对值的时间启动时间延迟;
其中所述控制器配置成确定X射线光子的能量是否落入仓内;
其中所述控制器配置成促使与所述仓关联的计数器记录的数目增加一。
13.如权利要求第12所述的检测器,其进一步包括电连接到所述电触点的电容器模组,其中所述电容器模组配置成从所述电触点收集载流子。
14.如权利要求第12所述的检测器,其中所述控制器配置成在所述时间延迟开始或终止时启动所述第二电压比较器。
15.如权利要求第12所述的检测器,其中所述控制器配置成使所述电触点连接到电接地。
16.如权利要求第12所述的检测器,其中所述电压的变化率在所述时间延迟终止时大致为零。
17.如权利要求第12所述的检测器,其中所述X射线吸收层包括二极管。
18.如权利要求第12所述的检测器,其中所述X射线吸收层包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。
19.如权利要求第1所述的检测器,其中所述检测器不包括闪烁体。
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