[发明专利]用于外延生长源极/漏极晶体管区域的碳基界面有效
| 申请号： | 201580080044.2 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107667434B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | G·A·格拉斯;P·H·基斯;H·W·肯内尔;R·米恩德鲁;A·S·默西;K·贾姆布纳坦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/165 | 分类号： | H01L29/165;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/775;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 外延 生长 晶体管 区域 界面 | ||
1.一种晶体管，包括：
包括硅的主体；
包括硅和硼的区域；
一个或多个层，所述一个或多个层在所述主体与所述区域之间，所述一个或多个层包括碳，所述一个或多个层具有渐变的碳含量，使得最接近所述主体的层包括最高的碳含量百分比且最接近所述区域的层包括最低的碳含量百分比；以及
一个或多个附加层，所述一个或多个附加层在所述一个或多个层和所述区域之间，其中，所述一个或多个附加层包括硅、锗和硼。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或多个层包括包含至少20原子％的碳的单层。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述单层在所述主体与所述区域之间具有大约为1纳米的厚度。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或多个层包括包含至多5原子％的碳的单层。
5.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述单层在所述主体与所述区域之间具有5至10纳米的厚度。
6.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或多个层由包括至少一个渐变材料组分的单层构成。
7.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或多个层还包括硅或锗中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或多个层包括硼。
9.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或多个附加层由包含硅和硼的第一层和包含硅、锗和硼的第二层构成。
10.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或多个附加层中的锗含量从最接近所述一个或多个层的部分到最接近所述区域的部分增大。
11.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或多个层在所述主体和所述区域之间的部分的厚度与所述一个或多个层在下方的衬底和所述区域之间的部分的厚度基本相同。
12.根据权利要求11所述的晶体管，其中，基本相同包括厚度差在1纳米内。
13.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述晶体管包括以下各项中的一项或多项：平面构造、鳍式构造、fin-FET构造、三栅极构造、纳米线构造、纳米带构造或者栅极全环绕构造。
14.一种包括权利要求1所述的晶体管的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。
15.一种包括权利要求1所述的晶体管的计算系统。
16.一种晶体管，包括：
包括硅的主体；
包括硅、锗和硼的区域，其中所述区域是源极区域或漏极区域中的一个；
一个或多个层，所述一个或多个层在所述主体与所述区域之间，所述一个或多个层包括碳，所述一个或多个层具有渐变的碳含量，使得最接近所述主体的层包括最高的碳含量百分比且最接近所述区域的层包括最低的碳含量百分比；以及
一个或多个附加层，所述一个或多个附加层在所述一个或多个层和所述区域之间，其中，所述一个或多个附加层包括硅、锗和硼。
17.根据权利要求16所述的晶体管，其中，所述主体是鳍状物、纳米线或纳米带中的一种。
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