[发明专利]清洗半导体衬底的方法和装置

权利要求书

1.使用超/兆声波装置清洁包括图案化结构的半导体晶片的方法，该方法包括：

在该半导体晶片上施加液体；

超/兆声波装置在预定的第一时段以第一频率和第一功率水平向该液体传递声能；以及

超/兆声波装置在预定的第二时段以第二频率和第二功率水平向该液体传递声能，

其中以预定数目的循环将该第一和第二时段先后交替施加，

其中确定第一和第二时段、第一和第二功率水平、以及第一和第二频率从而传递声能不损伤半导体晶片上的图案化结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中在该第一时段中不发生气泡内爆。

3.如权利要求1所述的方法，其中该第一时段如下确定：

在以下两者之间交替：在测试时段以该第一频率和该第一功率水平向该液体传递声能，以及在足够长的时段以该第二频率和该第二功率水平向该液体传递声能；

测量被破坏的图案化结构的数量；

以多个不同的测试时段重复以上步骤；以及

将该第一时段确定为不大于一时段，在该时段内以第一功率水平向液体传递声能时使得气泡尺寸小于破坏图案化结构的临界尺寸。

4.如权利要求1所述的方法，其中该第二时段如下确定：

在以下两者之间交替：在预定时段以该第一频率和该第一功率水平向该液体传递声能，以及在测试时段以该第二频率和该第二功率水平向该液体传递声能；

测量被破坏的图案化结构的数量；以多个不同的测试时段重复以上步骤；以及

将该第二时段确定为不小于一时段，在该时段内以第二功率水平向液体传递声能时使得气泡尺寸小于破坏图案化结构的临界尺寸。

5.如权利要求1所述的方法，其中该第二功率水平低于该第一功率水平。

6.如权利要求5所述的方法，其中该第二功率水平是零。

7.如权利要求1所述的方法，其中第二频率高于第一频率。

8.如权利要求1所述的方法，其中第二时段中的第二频率与第一时段中的第一频率的相位相反。

9.如权利要求1所述的方法，其中第一频率等于第二频率，第一功率水平高于第二功率水平。

10.如权利要求1所述的方法，其中第一频率高于第二频率，第一功率水平高于第二功率水平。

11.如权利要求1所述的方法，其中第一频率低于第二频率，第一功率水平等于第二功率水平。

12.如权利要求1所述的方法，其中第一频率低于第二频率，第一功率水平高于第二功率水平。

13.如权利要求1所述的方法，其中第一频率低于第二频率，第一功率水平低于第二功率水平。

14.如权利要求1所述的方法，其中在第一时段中，第一功率水平上升。

15.如权利要求1所述的方法，其中在第一时段中，第一功率水平下降。

16.如权利要求1所述的方法，其中在第一时段中，第一功率水平上升和下降。

17.如权利要求1所述的方法，其中在第一时段中，第一频率从较高的值变化到较低的值。

18.如权利要求1所述的方法，其中在第一时段中，第一频率从较低的值变化到较高的值。

19.如权利要求1所述的方法，其中在第一时段中，第一频率从较低的值变化到较高的值，然后再变化到较低的值。